ADG719
–4–
rev. 一个
订货 手册
模型 温度 范围 Brand* 包装 描述 包装 选项
ADG719BRM –40
°
c 至 +85
°
C S5B
µ
soic (microsmall 外形 ic) rm-8
ADG719BRT –40
°
c 至 +85
°
C S5B sot-23 (塑料 表面 挂载) rt-6
*brand = 预定的 至 包装 大小 限制, 这些 三 characters 代表 这 部分 号码.
管脚 配置
表格 i. 真实 表格
adg719 在 转变 s1 转变 s2
0 在 止
1 止 在
提醒
静电释放 (静电的 释放) 敏感的 设备. 静电的 charges 作 高 作 4000 v readily
accumulate 在 这 人 身体 和 测试 设备 和 能 释放 没有 发现.
虽然 这 adg719 特性 专卖的 静电释放 保护 电路系统, 永久的 损坏 将
出现 在 设备 subjected 至 高 活力 静电的 discharges. 因此, 恰当的 静电释放
预防措施 是 推荐 至 避免 效能 降级 或者 丧失 的 符合实际.
WARNING!
静电释放 敏感的 设备
绝对 最大 比率
1
(t
一个
= +25
°
c 除非 否则 指出)
V
DD
至 地 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –0.3 v 至 +7 v
相似物, 数字的 输入
2
. . . . . . . . . . . –0.3 v 至 v
DD
+ 0.3 v 或者
30 毫安, whichever occurs 第一
顶峰 电流, s 或者 d . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100 毫安
(搏动 在 1 ms, 10% 职责 循环 最大值)
持续的 电流, s 或者 d . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30 毫安
运行 温度 范围
工业的 (b 版本) . . . . . . . . . . . . . . . . . –40
°
c 至 +85
°
C
存储 温度 范围 . . . . . . . . . . . . . –65
°
c 至 +150
°
C
接合面 温度 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +150
°
C
µ
soic 包装, 电源 消耗 . . . . . . . . . . . . . . . 315 mw
θ
JA
热的 阻抗 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 206
°
c/w
θ
JC
热的 阻抗 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 44
°
c/w
sot-23 包装, 电源 消耗 . . . . . . . . . . . . . . 282 mw
θ
JA
热的 阻抗 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 229.6
°
c/w
θ
JC
热的 阻抗 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 91.99
°
c/w
含铅的 温度, 焊接
vapor 阶段 (60 秒) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +215
°
C
infrared (15 秒). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +220
°
C
静电释放 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1 kV
注释
1
压力 在之上 那些 列表 下面 绝对 最大 比率 将 导致 perma-
nent 损坏 至 这 设备. 这个 是 一个 压力 比率 仅有的; 函数的 运作 的 这
设备 在 这些 或者 任何 其它 情况 在之上 那些 列表 在 这 运算的 sections
的 这个 规格 是 不 暗指. 暴露 至 绝对 最大 比率 condi-
tions 为 扩展 时期 将 影响 设备 可靠性. 仅有的 一个 绝对 maxi-
mum 比率 将 是 应用 在 任何 一个 时间.
2
overvoltages 在 在, s 或者 d 将 是 clamped 用 内部的 二极管. 电流 应当 是
限制 至 这 最大 比率 给.
6-含铅的 sot-23
(rt-6)
顶 视图
(不 至 规模)
6
5
4
1
2
3
在
V
DD
地
S2
D
S1
ADG719
8-含铅的
SOIC
(rm-8)
顶 视图
(不 至 规模)
8
7
6
5
1
2
3
4
nc = 非 连接
D
S1
地
S2
NC
在
NCV
DD
ADG719
TERMINOLOGY
V
DD
大多数 积极的 电源 供应 潜在的.
地 地面 (0 v) 涉及.
S 源 终端. 将 是 一个 输入 或者 输出.
D 流 终端. 将 是 一个 输入 或者 输出.
在 逻辑 控制 输入.
R
在
ohmic 阻抗 在 d 和 s.
∆
R
在
在 阻抗 相一致 在 任何 二 途径
i.e., r
在
最大值 – r
在
最小值
R
flat(在)
flatness 是 定义 作 这 区别 在 这
最大 和 最小 值 的 在 阻抗 作
量过的 在 这 指定 相似物 信号 范围.
I
S
(止) 源 泄漏 电流 和 这 转变 “off.”
I
D
, i
S
(在) 频道 泄漏 电流 和 这 转变 “on.”
V
D
(v
S
) 相似物 电压 在 terminals d, s.
C
S
(止) “off” 转变 源 电容.
C
D
(止) “off” 转变 流 电容.
C
D
, c
S
(在) “on” switch 电容.
t
在
延迟 在 应用 这 数字的 控制 输入
和 这 输出 切换 在.
t
止
延迟 在 应用 这 数字的 控制 输入
和 这 输出 切换 止.
t
D
“off” 时间 或者 “on” 时间 量过的 在 这
90% 点 的 两个都 switches, 当 切换
从 一个 地址 状态 至 另一.
串扰 一个measure 的 unwanted 信号 那 是结合
通过 从 一个 频道 至 另一 作 一个 结果
的 parasitic 电容.
止 分开 一个measure 的 unwanted 信号 连接通过
一个 “off” 转变.
带宽 这 频率 在 这个 这 输出 是 attenuated
用 –3 dbs.
在 回馈 这 频率 reponse 的 这 “on” 转变.
在 丧失 这 电压 漏出 横过 这 “on” 转变 seen 在
这 在 回馈 vs. 频率 plot 作 如何 许多
dbs 这 信号 是 away 从 0 db 在 非常 低
发生率.
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