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资料编号:963645
 
资料名称:ADG721BRM
 
文件大小: 204K
   
说明
 
介绍:
CMOS Low Voltage 4 ohm Dual SPST Switches
 
 


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–2– rev. 0
adg721/adg722/adg723–specifications
1
b 版本
–40
c 至
参数 +25
C +85
C 单位 测试 情况/comments
相似物 转变
相似物 信号 范围 0 v 至 v
DD
V
在 阻抗 (r
)45
最大值 V
S
= 0 v 至 v
DD
, i
S
= –10 毫安,
测试 电路 1
在 阻抗 相一致 在
途径 (
R
) 0.3
典型值 V
S
= 0 v 至 v
DD
, i
S
= –10 毫安
1.0
最大值
在-阻抗 flatness (r
flat(在)
) 0.85
典型值 V
S
= 0 v 至 v
DD
, i
S
= –10 毫安
1.5
最大值
泄漏 电流 V
DD
= +5.5 v
源 止 泄漏 i
S
(止)
±
0.01 na 典型值 V
S
= 4.5 v/1 v, v
D
= 1 v/4.5 v
±
0.25
±
0.35 na 最大值 测试 电路 2
流 止 泄漏 i
D
(止)
±
0.01 na 典型值 V
S
= 4.5 v/1 v, v
D
= 1 v/4.5 v
±
0.25
±
0.35 na 最大值 测试 电路 2
频道 在 泄漏 i
D
, i
S
(在)
±
0.01 na 典型值 V
S
= v
D
= 1 v, 或者 v
S
= v
D
= 4.5 v
±
0.25
±
0.35 na 最大值 测试 电路 3
数字的 输入
输入 高 电压, v
INH
2.4 v 最小值
输入 低 电压, v
INL
0.8 v 最大值
输入 电流
I
INL
或者 i
INH
0.005
µ
一个 典型值 V
= v
INL
或者 v
INH
±
0.1
µ
一个 最大值
动态 特性
2
t
14 ns 典型值 R
L
= 300
, c
L
= 35 pf
20 ns 最大值 V
S
= 3 v, 测试 电路 4
t
6 ns 典型值 R
L
= 300
, c
L
= 35 pf
10 ns 最大值 V
S
= 3 v, 测试 电路 4
破裂-在之前-制造 时间 延迟, t
D
7 ns 典型值 R
L
= 300
, c
L
= 35 pf,
(adg723 仅有的) 1 ns 最小值 V
S1
= v
S2
= 3 v, 测试 电路 5
承担 injection 2 pc 典型值 V
S
= 2 v; r
S
= 0
, c
L
= 1 nf,
测试 电路 6
止 分开 –60 db 典型值 R
L
= 50
, c
L
= 5 pf, f = 10 mhz
–80 db 典型值 R
L
= 50
, c
L
= 5 pf, f = 1 mhz,
测试 电路 7
频道-至-频道 串扰 –77 db 典型值 R
L
= 50
, c
L
= 5 pf, f = 10 mhz
–97 db 典型值 R
L
= 50
, c
L
= 5 pf, f = 1 mhz,
测试 电路 8
带宽 –3 db 200 mhz 典型值 R
L
= 50
, c
L
= 5 pf, 测试 电路 9
C
S
(止) 7 pf 典型值
C
D
(止) 7 pf 典型值
C
D
, c
S
(在) 18 pf 典型值
电源 (所需的)东西 V
DD
= +5.5 v
数字的 输入 = 0 v 或者 5 v
I
DD
0.001
µ
一个 典型值
1.0
µ
一个 最大值
注释
1
温度 范围 是 作 跟随: b 版本, –40
°
c 至 +85
°
c.
2
有保证的 用 设计, 不 主题 至 生产 测试.
规格 主题 至 改变 没有 注意.
(v
DD
= +5 v
10%, 地 = 0 v. 所有 规格 –40
c 至 +85
c,
除非 否则 指出.)
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