ADG774BRQ_集成电路资料查询网

–2– rev. 0
ADG774–SPECIFICATIONS
b 版本
T
最小值
至
参数 +25

CT
最大值
单位 测试 情况/comments
相似物 转变
相似物 信号 范围 0 v 至 v
DD
V
在 阻抗 (r
在
) 2.2
Ω
典型值 V
D
= 0 v 至 v
DD
, i
S
= –10 毫安
5
Ω
最大值
在 阻抗 相一致 在
途径 (
∆
R
在
)0.15
Ω
典型值 V
D
= 0 v 至 v
DD
, i
S
= –10 毫安
0.5
Ω
最大值
在 阻抗 flatness (r
flat(在)
)
0.5 Ω
典型值 V
D
= 0 v 至 v
DD
; i
S
= –1 毫安
1
Ω
最大值
泄漏 电流
源 止 泄漏 i
S
(止)
±
0.01 na 典型值 V
D
= 4.5 v, v
S
= 1 v; v
D
= 1 v, v
S
= 4.5 v;
±
0.5
±
1 na 最大值 测试 电路 2
流 止 泄漏 i
D
(止)
±
0.01 na 典型值 V
D
= 4.5 v, v
S
= 1 v; v
D
= 1 v, v
S
= 4.5 v;
±
0.5
±
1 na 最大值 测试 电路 2
频道 在 泄漏 i
D
, i
S
(在)
±
0.01 na 典型值 V
D
= v
S
= 4.5 v; v
D
= v
S
= 1 v; 测试 电路 3
±
0.5
±
1 na 最大值
数字的 输入
输入 高 电压, v
INH
2.4 v 最小值
输入 低 电压, v
INL
0.8 v 最大值
输入 电流
I
INL
或者 i
INH
0.001
µ
一个 典型值 V
在
= v
INL
或者 v
INH
±
0.5
µ
一个 最大值
动态 特性
2
t
在
10 ns 典型值 R
L
= 100
Ω
, c
L
= 35 pf,
20 ns 最大值 V
S
= +3 v; 测试 电路 4
t
止
4 ns 典型值 R
L
= 100
Ω
, c
L
= 35 pf,
8 ns 最大值 V
S
= +3 v; 测试 电路 4
破裂-在之前-制造 时间 延迟, t
D
5 ns 典型值 R
L
= 100
Ω
, c
L
= 35 pf,
1 ns 最小值 V
S1
= v
S2
= +5 v; 测试 电路 5
止 分开 –65 db 典型值 R
L
= 100
Ω
, f = 10 mhz; 测试 电路 7
频道-至-频道 串扰 –75 db 典型值 R
L
= 100
Ω
, f = 10 mhz; 测试 电路 8
带宽 –3 db 240 mhz 典型值 R
L
= 100
Ω
; 测试 电路 6
扭曲量 0.5 % 典型值 R
L
= 100
Ω
承担 injection 10 pc 典型值 C
L
= 1 nf; 测试 电路 9
C
S
(止) 10 pf 典型值 f = 1 khz
C
D
(止) 20 pf 典型值 f = 1 khz
C
D
, c
S
(在) 30 pf 典型值 f = 1 mhz
电源 (所需的)东西 V
DD
= +5.5 v
数字的 输入 = 0 v 或者 v
DD
I
DD
1
µ
一个 最大值
0.001
µ
一个 典型值
I
在
1
µ
一个 典型值 V
在
= +5 v
I
O
100 毫安 最大值 V
S
/v
D
= 0 v
注释
1
温度 范围 是 作 跟随: b 版本, –40
°
c 至 +85
°
c.
2
有保证的 用 设计, 不 主题 至 生产 测试.
规格 主题 至 改变 没有 注意.
(v
DD
= +5 v

10%, 地 = 0 v. 所有 规格 t
最小值
至 t
最大值
除非 否则 指出.)
单独的 供应

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–2– rev. 0 ADG774–SPECIFICATIONS b 版本 T 最小值至参数 +25  CT 最大值单位测试情况/comments 相似物转变相似物信号范围 0 v 至 v DD V 在阻抗 (r 在 ) 2.2 Ω 典型值 V D = 0 v 至 v DD , i S = –10 毫安 5 Ω 最大值在阻抗相一致在途径 ( ∆ R 在 )0.15 Ω 典型值 V D = 0 v 至 v DD , i S = –10 毫安 0.5 Ω 最大值在阻抗 flatness (r flat(在) ) 0.5 Ω 典型值 V D = 0 v 至 v DD ; i S = –1 毫安 1 Ω 最大值泄漏电流源止泄漏 i S (止) ± 0.01 na 典型值 V D = 4.5 v, v S = 1 v; v D = 1 v, v S = 4.5 v; ± 0.5 ± 1 na 最大值测试电路 2 流止泄漏 i D (止) ± 0.01 na 典型值 V D = 4.5 v, v S = 1 v; v D = 1 v, v S = 4.5 v; ± 0.5 ± 1 na 最大值测试电路 2 频道在泄漏 i D , i S (在) ± 0.01 na 典型值 V D = v S = 4.5 v; v D = v S = 1 v; 测试电路 3 ± 0.5 ± 1 na 最大值数字的输入输入高电压, v INH 2.4 v 最小值输入低电压, v INL 0.8 v 最大值输入电流 I INL 或者 i INH 0.001 µ 一个典型值 V 在 = v INL 或者 v INH ± 0.5 µ 一个最大值动态特性 2 t 在 10 ns 典型值 R L = 100 Ω , c L = 35 pf, 20 ns 最大值 V S = +3 v; 测试电路 4 t 止 4 ns 典型值 R L = 100 Ω , c L = 35 pf, 8 ns 最大值 V S = +3 v; 测试电路 4 破裂-在之前-制造时间延迟, t D 5 ns 典型值 R L = 100 Ω , c L = 35 pf, 1 ns 最小值 V S1 = v S2 = +5 v; 测试电路 5 止分开 –65 db 典型值 R L = 100 Ω , f = 10 mhz; 测试电路 7 频道-至-频道串扰 –75 db 典型值 R L = 100 Ω , f = 10 mhz; 测试电路 8 带宽 –3 db 240 mhz 典型值 R L = 100 Ω ; 测试电路 6 扭曲量 0.5 % 典型值 R L = 100 Ω 承担 injection 10 pc 典型值 C L = 1 nf; 测试电路 9 C S (止) 10 pf 典型值 f = 1 khz C D (止) 20 pf 典型值 f = 1 khz C D , c S (在) 30 pf 典型值 f = 1 mhz 电源 (所需的)东西 V DD = +5.5 v 数字的输入 = 0 v 或者 v DD I DD 1 µ 一个最大值 0.001 µ 一个典型值 I 在 1 µ 一个典型值 V 在 = +5 v I O 100 毫安最大值 V S /v D = 0 v 注释 1 温度范围是作跟随: b 版本, –40 ° c 至 +85 ° c. 2 有保证的用设计, 不主题至生产测试. 规格主题至改变没有注意. (v DD = +5 v  10%, 地 = 0 v. 所有规格 t 最小值至 t 最大值除非否则指出.) 单独的供应

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