rev. 0
adg619/adg620
–
7
–
测试 电路
I
DS
V1
SD
V
S
R
在
= v1/I
DS
测试 电路 1. 在 阻抗
SD
V
S
V
D
I
S
(止) I
D
(止)
测试 电路 2. 止 泄漏
SD
一个
V
D
I
D
(在)
NC
测试 电路 3. 在 泄漏
V
DD
0.1
F
V
S
在
SD
V
DD
地
R
L
300
C
L
35pF
V
输出
V
SS
0.1
F
V
SS
50% 50%
90%
90%
V
在
V
输出
t
止
t
在
测试 电路 4. 切换 时间
D
V
DD
地
90% 90%
50% 50%
0V
0V
V
SS
V
DD
V
S1
在
S1
R
L2
300
C
L2
35pF
V
输出
V
SS
0.1
F
V
在
V
输出
t
BBM
V
S2
V
在
S2
D2
0.1
F
t
BBM
测试 电路 5. 破裂-在之前-制造 时间 延迟, t
BBM
(adg619 仅有的)
V
S1
V
DD
地
V
SS
V
DD
V
S1
在
R
L2
300
C
L2
35pF
V
SS
0.1
F
V
D
V
在
0.1
F
C
L1
35pF
R
L1
300
50% 50%
0V
V
在
V
S1
V
S2
80%V
D
80%V
D
t
MBB
测试 电路 6. 制造-在之前-破裂 时间 延迟, t
MBB
(adg620 仅有的)
DS
V
DD
在
V
S
地
C
L
1nF
V
输出
R
S
V
DD
V
SS
V
SS
V
在
V
输出
∆
V
输出
Q
INJ
= c
L
∆
V
输出
∆
V
输出
S1
S2
测试 电路 7. 承担 injection
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