ADG822BRM_集成电路资料查询网

rev. 0–8–
adg821/adg822/adg823
Test 电路
I
DS
V1
SD
V
S
R
在
= v1/i
DS
测试 电路 1. 在 阻抗
SD
V
S
一个
一个
V
D
I
S
(止) I
D
(止)
测试 电路 2. 止 泄漏
SD
一个
V
D
I
D
(在)
NC
nc = 非 连接
测试 电路 3. 在 泄漏
V
DD
V
DD
0.1

F
V
S
在
SD
地
R
L
50

C
L
35pF
V
输出
V
在
V
在
V
输出
t
在
t
止
50% 50%
90% 90%
50% 50%
ADG821
ADG822
测试 电路 4. 切换 时间
0.1

F
V
DD
V
DD
S1 D1
in1, in2
V
S1
地
R
L1
50

C
L1
35pF
V
OUT1
V
S2
V
OUT2
R
L2
50

C
L2
35pF
S2
V
在
D2
t
BBM
t
BBM
50% 50%
90%
V
在
V
OUT1
V
OUT2
90%
90%
90%
0V
0V
0V
测试 电路 5. 破裂-在之前-制造 时间 延迟, t
BBM
(adg823 仅有的)
V
DD
V
DD
SD
在
V
S
地
C
L
1nF
V
输出
R
S
sw 在
V
在
V
输出
Q
INJ
= c
L

∆
V
输出
sw 止

V
输出
测试 电路 6. 承担 injection

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rev. 0–8– adg821/adg822/adg823 Test 电路 I DS V1 SD V S R 在 = v1/i DS 测试电路 1. 在阻抗 SD V S 一个一个 V D I S (止) I D (止) 测试电路 2. 止泄漏 SD 一个 V D I D (在) NC nc = 非连接测试电路 3. 在泄漏 V DD V DD 0.1  F V S 在 SD 地 R L 50  C L 35pF V 输出 V 在 V 在 V 输出 t 在 t 止 50% 50% 90% 90% 50% 50% ADG821 ADG822 测试电路 4. 切换时间 0.1  F V DD V DD S1 D1 in1, in2 V S1 地 R L1 50  C L1 35pF V OUT1 V S2 V OUT2 R L2 50  C L2 35pF S2 V 在 D2 t BBM t BBM 50% 50% 90% V 在 V OUT1 V OUT2 90% 90% 90% 0V 0V 0V 测试电路 5. 破裂-在之前-制造时间延迟, t BBM (adg823 仅有的) V DD V DD SD 在 V S 地 C L 1nF V 输出 R S sw 在 V 在 V 输出 Q INJ = c L  ∆ V 输出 sw 止  V 输出测试电路 6. 承担 injection

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