adm205–adm211/adm213–specifications
参数 最小值 典型值 最大值 单位 测试 情况/comments
输出 电压 摆动
±
5
±
9 伏特 所有 传输者 输出 承载 和 3 k
Ω
至
地面
V
CC
电源 供应 电流 3 7 毫安 非 加载, adm206, adm211, adm213
5 9 毫安 非 加载, adm205, adm207, adm208
0.4 1 毫安 非 加载, adm209
v+ 电源 供应 电流 3.5 5 毫安 非 加载, v+ = 12 v adm209 仅有的
关闭 供应 电流 1 5
µ
一个
输入 逻辑 门槛 低, v
INL
0.8 V T
在
,
EN
, sd, en,
SD
输入 逻辑 门槛 高, v
INH
2.0 V T
在
,
EN
, sd, en,
SD
逻辑 拉-向上 电流 10 25
µ
在
在
= 0 v
rs-232 输入 电压 范围 –30 +30 V
rs-232 输入 门槛 低 0.8 1.2 V
rs-232 输入 门槛 高 1.7 2.4 V
rs-232 输入 hysteresis 0.2 0.5 1.0 V
rs-232 输入 阻抗 357k
Ω
ttl/cmos 输出 电压 低, v
OL
0.4 V I
输出
= 1.6 毫安
ttl/cmos 输出 电压 高, v
OH
3.5 V I
输出
= –1.0 毫安
ttl/cmos 输出 泄漏 电流 0.05
±
5
µ
一个
EN
= v
CC
, en = 0 v, 0 v
≤
R
输出
≤
V
CC
输出 使能 时间 (t
EN
) 115 ns adm205, adm206, adm209, adm211
(图示 25. c
L
= 150 pf)
输出 使不能运转 时间 (t
DIS
) 165 ns adm205, adm206, adm209, adm211
(图示 25. r
L
= 1 k
Ω
)
传播 延迟 0.5 5
µ
s rs-232 至 ttl
instantaneous 回转 比率
l
25 30 v/
µ
sC
L
= 10 pf, r
L
= 3-7 k
Ω
, t
一个
= +25
°
C
转变 区域 回转 比率 3 6 v/
µ
sR
L
= 3 k
Ω
, c
L
= 2500 pf
量过的 从 +3 v 至 –3 v 或者 –3 v 至 +3 v
输出 阻抗 300
Ω
V
CC
= v+ = v– = 0 v, v
输出
=
±
2 v
rs-232 输出 短的 电路 电流
±
12
±
60 毫安
便条
1
样本 测试 至 确保 遵从.
规格 主题 至 改变 没有 注意.
(v
CC
= +5 v
10% (206, 207, 208, 2o9,
211, 213); v
CC
= +5 v
5% (adm205);
v+ = +9 v 至 +13.2 v (adm209); c1–c4 = 0.1
f 陶瓷的. 所有 规格 t
最小值
至 t
最大值
除非 否则 指出.)
rev. 0
–2–
绝对 最大 ratings*
(t
一个
= +25
°
c 除非 否则 指出)
V
CC
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –0.3 v 至 +6 v
V+ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . (v
CC
– 0.3 v) 至 +14 v
V– . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +0.3 v 至 –14 v
输入 电压
T
在
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –0.3 v 至 (v
CC
+ 0.3 v)
R
在
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
±
30 v
输出 电压
T
输出
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . (v+, + 0.3 v) 至 (v–, –0.3 v)
R
输出
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –0.3 v 至 (v
CC
+ 0.3 v)
短的 电路 持续时间
T
输出
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 持续的
电源 消耗
n-24 插件 (减额 13.5 mw/
°
c 在之上 +70
°
c) . . .1000 mw
n-24a 插件 (减额 13.5 mw/
°
c 在之上 +70
°
c) . . 500 mw
r-24 soic (减额 12 mw/
°
c 在之上 +70
°
c) . . . . .850 mw
r-28 soic (减额 12.5 mw/
°
c 在之上 +70
°
c) . . 900 mw
rs-28 ssop (减额 10 mw/
°
c 在之上 +70
°
c) . . . .900 mw
q-24 cerdip (减额 12.5 mw/
°
c 在之上 +70
°
c) .1000 mw
d-24 陶瓷的 (减额 20 mw/
°
c 在之上 +70
°
c) . .1000 mw
热的 阻抗,
θ
JA
n-24 插件 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 120
°
c/w
n-24a 插件 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 110
°
c/w
r-24 soic . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 85
°
c/w
r-28 soic . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 80
°
c/w
rs-28 ssop . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100
°
c/w
q-14 cerdip . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 105
°
c/w
q-16 cerdip . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100
°
c/w
q-20 cerdip . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100
°
c/w
q-24 cerdip . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 55
°
c/w
d-24 陶瓷的 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50
°
c/w
运行 温度 范围
工业的 (一个 版本) . . . . . . . . . . . . . . . . . -40
°
c 至 +85
°
C
存储 温度 范围 . . . . . . . . . . . . .–65
°
c 至 +150
°
C
含铅的 温度, 焊接 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +300
°
C
vapour 阶段 (60 秒) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +215
°
C
infrared (15 秒). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +220
°
C
静电释放 比率 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . > 2000 v
*this 是 一个 压力 比率 仅有的 和 函数的 运作 的 这 设备 在 这些 或者 任何
其它 情况 在之上 那些 表明 在 这 运作 sections 的 这个 specifica-
tion 是 不 暗指. 暴露 至 绝对 最大 比率 情况 为 扩展
时期 的 时间 将 影响 可靠性.
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