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ADP3410
–9–
延迟 从 这
DRVLSD
输入 至 这 drvl 输出 是 关于
30 ns.
同步的 rectifier 监控
这 同步的 rectifier 监控 提供 一个 ttl 输出 信号
为 使用 用 这 pwm 控制. 这 srmon 输出 跟随 这
drvl 信号 当 这 低-一侧 驱动器 是 使能 和 变得 高
当 这 低-一侧 驱动器 是 shut 向下.
关闭
这 关闭 输入 是 使用 为 电源 管理. 如果 这 cir-
cuits 运动 止 的 这 buck 转换器 是 不 需要, 这
adp3410 能 是 shut 向下 至 conserve 电源.
当 这
SD
管脚 是 高, 这 adp3410 是 使能 为 正常的
运作. 拉 这
SD
管脚 低 forces 这 vccgd, drvh
和 drvl 输出 低 turning 这 buck 转换器 止 和
减少 这 vcc
供应 电流 至 较少 比 10
µ
一个.
欠压 lockout
这 欠压 lockout (uvlo) 电路 holds 两个都 场效应晶体管
驱动器 输出 低 在 vcc
供应 ramp 向上. 这 uvlo
逻辑 变为 起作用的 和 在 控制 的 这 驱动器 输出 在 一个
供应 电压 的 1.5 v. 这 uvlo 电路 将 wait 直到 这
VCC
供应 有 reached 一个 电压 高 足够的 至 偏差 逻辑
水平的fets 全部地 在, 周围 4.4 v, 在之前 releasing 控制
的 这驱动器 至 这 pwm 输入.
vcc 好的
这 电源 准备好 信号, vccgd, indicates 这 状态 的 这
VCC
供应. 当 这 设备 是 在 uvlo, 这 vccgd 输出
是 牵引的 低 用 一个 nmos晶体管. 在之上 exiting uvlo 模式,
这 vccgd 管脚 是 牵引的 向上 至 vcc
和 一个 5
Ω
pmos transis-
tor 有能力 的 sourcing 电流 至 外部 加载 电路. 作 能
是 seen 从 这 块 图解, 这 uvlo 比较器 输出
和 这
SD
信号 是 anded 一起 至 变为 这 vccgd
输出, 所以 当 这 设备 是 放 在 关闭 这 vccgd
输出 将 是 低 regardless 的 这 vcc 电压.
热的 关闭
这 热的 关闭 电路 保护 这 adp3410 相反
损坏 预定的 至 过度的 电源 消耗. 下面 extreme
情况, 高 包围的 温度 和 高-电源 消耗,
这 消逝 温度 能 上升 向上 至 这 在-温度trip
要点 的 165
°
c. 如果 这 消逝 温度 超过 165
°
c, 这
热的关闭 电路 将 转变 这 输出 驱动器 止. 这
驱动器 将 仍然是 无能 直到 这 接合面 温度 有
decreased 用 10
°
c, 在 这个 要点 这 驱动器 是 使能 又一次.
应用 信息
供应 电容 选择
为 这 供应 输入 (vcc) 的 这 adp3410, 一个 local 绕过
电容 是 推荐 至 减少 这 噪音 和 至 供应
一些 的 这 顶峰 电流 描绘. 使用 一个 5
µ
f 至 10
µ
f, 低 等效串联电阻
电容. multilayer 陶瓷的 碎片 (mlcc) 电容 提供
这 最好的 结合体 的 低 等效串联电阻 和 小 大小 和 能 是
得到 从 这 下列的 vendors:
Murata GRM235Y5V106Z16 http://www.murata.com
taiyo-yuden EMK325F106ZF http://www.t-yuden.com
Tokin C23Y5V1C106ZP http://www.tokin.com
一个 更小的 费用 alternative 将 是 至 使用 一个 5
µ
f 至 10
µ
f tantalum
电容 和 一个 小 (1
µ
f) 陶瓷的 在 并行的. 保持 这
陶瓷的 电容 作 关闭 作 可能 至 这 adp3410.
自举 电路
这 自举 电路 需要 一个 承担 存储 电容, c
BST
,
和 一个 肖特基 二极管, d1, 作 显示 在 图示 2. selecting 这些
组件 能 是 完毕 之后 这 高-一侧 场效应晶体管 有 被 选择.
这 自举 电容 必须 有 一个 电压 比率 那 是 能
至 handle 这 最大 电池 电压 加 5 v. 一个 最小
50 v 比率 是 推荐. 这 电容 是 决定
使用 这 下列的 等式:
C
Q
V
BST
门
BST
=
∆
(1)
在哪里
Q
门
是 这 总的 门 承担 的 这 高-一侧 场效应晶体管, 和
∆
V
BST
是 这 电压 droop 允许 在 这 高-一侧 场效应晶体管 驱动.
为 例子, 这 irf7811 有 一个 总的 门 承担 的 关于
20 nc. 为 一个 允许 droop 的 200 mv, 这 必需的 自举
电容 是 100 nf.看 为 一个 好的 质量 陶瓷的 电容.
一个 肖特基 二极管 是 推荐 为 这 自举 二极管 预定的
至 它的 低 向前 漏出, 这个 maximizes 这 驱动 有 为
这 高-一侧 场效应晶体管. 这 自举 二极管 必须 有 一个 最小
40 v 比率 至 承受 这 最大 电池 电压 加 5 v.
这 平均 向前 电流 能 是 estimated 用:
IQf
F AVG
门 最大值
()
≈×
(2)
在哪里
f
最大值
是 这 最大 切换 频率 的 这 控制.
这 顶峰 surge 电流 比率 应当 是 审查 在 电路 自从
这个 是 依赖 在 这 源 阻抗 的 这 5 v 供应,
和 这 等效串联电阻 的 c
BST
.
设置 这 ovp 门槛
这 adp3410 能 shut 向下 这 高-一侧 场效应晶体管 驱动 当 这
ovpset 输入 超过 这 门槛 电压. 这 电压 在
这个 v
输出
trips 这 超（电）压 保护 是 设置 用 selecting
这 值 为 ra 和 rb显示 在 图示 2. 这 门槛 为
这 ovp 是 计算 使用:
VV
Ra
Rb
OVP
=×+
12 1.
(3)
在哪里
V
OVP
是 这 desired ovp 门槛 电压 在 v
输出
.
在 顺序 至 降低 这 偏差 电流 错误, rb 应当 是 较少
比 或者 equal 至 24 k
Ω
. 用 selecting 一个 值 为 rb
≤
24 k
Ω
和
solving 为 ra 给 这 下列的 formula:
Ra
V
V
Rb
OVP
=−
×
12
1
.
(4)
便条 那 这 最小 这 ovp门槛 能 是 是 1.2 v 当
ra 是 零.
延迟 电容 选择
这 延迟 电容, c
DLY
, 是 使用 至 增加 一个 额外的 延迟
当 这 低-一侧 场效应晶体管 驱动 转变 止 和 当 这 高-一侧
驱动 开始 至 转变 在. 这 延迟 电容 adds 1 ns/pf 的
额外的 时间 至 这 20 ns 的 fixed 延迟.
如果 一个 延迟 电容 是 必需的, 一个 好的 质量 陶瓷的 电容
和 一个 npo 或者 cog dielectric 或者 一个好的 质量 mica 电容
应当 是 used. 两个都 类型 的 电容 是 有 在 这
1 pf 至 100 pf 范围 和 有 极好的 温度 和
泄漏特性.
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