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ADP3418
–7–
theory 的 运作
这 adp3418 是 一个 双 场效应晶体管 驱动器 优化 为 驱动
二 n-频道 mosfets 在 一个 同步的 buck 转换器
topology. 一个 单独的 pwm 输入 信号 是 所有 那 是 必需的 至
合适的 驱动 这 高-一侧 和 这 低-一侧 mosfets. 各自
驱动器 是 有能力 的 驱动 一个 3 nf 加载 在 speeds 向上 至 500 khz.
一个 更多 详细地 描述 的 这 adp3418 和 它的 特性
跟随. 谈及 至 这 函数的 块 图解.
低-一侧 驱动器
这 低-一侧 驱动器 是 设计 至 驱动 一个 地面-关联
低 r
ds(在)
n-频道 场效应晶体管. 这 偏差 至 这 低-一侧
驱动器 是 内部 连接 至 这 vcc 供应 和 pgnd.
当 这 驱动器 是 使能, 这 驱动器’s 输出 是 180
°
输出 的
阶段 和 这 pwm 输入. 当 这 adp3418 是 无能, 这
低-一侧 门 是 使保持 低.
高-一侧 驱动器
这 高-一侧 驱动器 是 设计 至 驱动 一个 floating 低 r
ds(在)
n-频道 场效应晶体管. 这 偏差 电压 为 这 高-一侧 驱动器
是 开发 用 一个 外部 自举 供应 电路, 这个 是
连接 在 这 bst 和 sw 管脚.
这 自举 电路 comprises 一个 二极管, d1, 和 自举
电容, c
BST
. 当 这 adp3418 是 开始 向上, 这 sw 管脚
是 在 地面, 所以 这 自举 电容 将 承担 向上 至 vcc
通过 d1. 当 这 pwm 输入 变得 高, 这 高-一侧
驱动器 将 begin 至 转变 在 这 高-一侧 场效应晶体管, q1, 用
拉 承担 输出 的 c
BST
. 作 q1 转变 在, 这 sw 管脚 将 上升
向上 至 v
在
, forcing 这 bst 管脚 至 v
在
+ v
c(bst)
,这个 是足够的
门-至-源 电压 至 支撑 q1 在. 至 完全 这 循环,
q1 是 切换 止 用 拉 这 门 向下 至 这 电压 在 这
sw 管脚. 当 这 低-一侧 场效应晶体管, q2, 转变 on, 这 sw
管脚 是 牵引的 至 地面. 这个 准许 这 自举 电容 至
承担 向上 至 vcc 又一次.
这 高-一侧 驱动器’s 输出 是 在 阶段 和 这 pwm 输入.
当 这 驱动器 是 无能, 这 高-一侧 门 是 使保持 低.
overlap 保护 电路
这 overlap 保护 电路 阻止 两个都 的 这 主要的 电源
switches, q1 和 q2, 从 正在 在 在 这 一样 时间. 这个 是
完毕 至 阻止 shoot-通过 电流 从 流 通过
两个都 电源 switches 和 这 有关联的 losses 那 能 出现
在 它们的 在-止 transitions. 这 overlap 保护 电路
accomplishes 这个 用 adaptively controlling 这 延迟 从 q1’s
转变-止 至 q2’s 转变-在 和 用 内部 设置 这 延迟 从
q2’s 转变-止 至 q1’s 转变-在.
至 阻止 这 overlap 的 这 门 驱动 在 q1’s 转变-止
和 q2’s 转变-在, 这 overlap 电路 monitors 这 电压 在 这
sw 管脚. 当 这 pwm 输入 信号 变得 低, q1 将 begin 至
转变-止 (之后 一个 传播 延迟), 但是 在之前 q2 能 转变 在,
这 overlap 保护 电路 waits 为 这 电压 在 这 sw 管脚
至 下降 从 v
在
至 1 v. once 这 电压 在 这 sw 管脚 有
fallen 至 1 v, q2 将 begin 转变-在. 用 waiting 为 这 电压 在
这 sw 管脚 至 reach 1 v, 这 overlap 保护 电路 确保
那 q1 是 止 在之前 q2 转变 在, regardless 的 变化 在
温度, 供应 电压, 门 承担, 和 驱动 电流.
至 阻止 这 overlap 的 这 门 驱动 在 q2’s 转变-止
和 q1’s 转变-在, 这 overlap 电路 提供 一个 内部的 延迟
那 是 设置 至 50 ns. 当 这 pwm 输入 信号 变得 高, q2
将 begin 至 转变 止 (之后 一个 传播 延迟), 但是 在之前 q1
能 转变 在, 这 overlap 保护 电路 waits 为 这 电压
在 drvl 至 漏出 至 周围 10% 的 v
CC
. once 这 电压 在
drvl 有 reached 这 10% 要点, 这 overlap 保护 电路
将 wait 为 一个 20 ns 典型 传播 延迟. once 这 延迟
时期 有 expired, q1 将 begin 转变-在.
应用 信息
供应 电容 选择
为 这 供应 输入 (v
CC
) 的 这 adp3418, 一个 local 绕过
电容 是 推荐 至 减少 这 噪音 和 至 供应 一些
的 这 顶峰 电流 描绘. 使用 一个 4.7
µ
f, 低 等效串联电阻 电容.
multilayer 陶瓷的 碎片 (mlcc) 电容 提供 这 最好的
结合体 的 低 等效串联电阻 和 小 大小. 保持 这 陶瓷的
capacitor 作 关闭 作 可能 至 这 adp3418.
自举 电路
这 自举 电路 使用 一个 承担 存储 电容 (c
BST
) 和
一个 二极管, 作 显示 在 图示 1. 选择 的 这些 组件
能 是 完毕 之后 这 高-一侧 场效应晶体管 有 被 选择.
这 自举 电容 必须 有 一个 电压 比率 那 是 能
至 handle 两次 这 最大 供应 电压. 一个 最小 50 v
比率 是 推荐. 这 电容 是 决定 使用
这 下列的 等式
C
Q
V
BST
门
BST
=
∆
(1)
在哪里
Q
门
是 这 总的 门 承担 的 这 高-一侧 场效应晶体管,
和
∆
V
BST
是 这 电压 droop 允许 在 这 高-一侧 场效应晶体管
驱动. 为 例子, 一个 ipd30n06 有 一个 总的 门 承担 的
关于 20 nc. 为 一个 允许 droop 的 200 mv, 这 必需的
自举 电容 是 100 nf. 一个 好的 质量 陶瓷的 capaci-
tor 应当 是 使用.
一个 小-信号 二极管 能 是 使用 为 这 自举 二极管 预定的 至
这 ample 门 驱动 电压 有提供的 用 v
CC
. 这 自举二极管
必须 有 一个 最小 15 v 比率 至 承受 这 最大
供应 电压. 这 平均 向前 电流 能 是 estimated 用
IQf
F AVG
门 最大值
()
=×
(2)
在哪里
f
最大值
是 这 最大 切换 频率 的 这 控制-
ler. 这 顶峰 surge 电流 比率 应当 是 审查 在-电路,
自从 这个 是 依赖 在 这 源 阻抗 的 这 12 v
供应 和 这 等效串联电阻 的 c
BST
.
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