ADS8364
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SBAS219B
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电的 特性
(内容.)
在 推荐 运行 自由-空气 温度 范围 在
–
40
°
c 至 85
°
c, av
DD
= dv
DD
= 5v, v
REF
= 内部的 +2.5v, f
CLK
= 5mhz, f
样本
= 250ksps, 除非
否则 指出.
ADS8364Y
参数 情况 最小值 典型值
(1)
最大值 单位
数字的 输入
(2)
逻辑 家族 CMOS
高-水平的 输入 电压 (v
IH
) 0.7
•
BV
DD
BV
DD
+ 0.3 V
低-水平的 输入 电压 (v
IL
)
–
0.3 0.3
•
BV
DD
V
输入 电流 (i
在
)v
I
= bv
DD
或者 地
±
50 nA
输入 电容 (c
I
)5pf
数字的 输出
(2)
逻辑 家族 CMOS
高-水平的 输出 电压 (v
OH
)bv
DD
= 4.5v, i
OH
=
–
100
µ
一个 4.44 V
低-水平的 输出 电压 (v
OL
)bv
DD
= 4.5v, i
OL
= 100
µ
一个 0.5 V
高-阻抗-状态 输出 电流 (i
OZ
)
cs = bv
DD
, v
I
= bv
DD
或者 地
±
50 nA
输出 电容 (c
O
)5pf
加载 电容 (c
L
) 30 pF
数据 format 二进制的 二's complement
数字的 输入
(3)
逻辑 家族 LVCMOS
高-水平的 输入 电压 (v
IH
)bv
DD
= 3.6v 2 BV
DD
+ 0.3 V
低-水平的 输入 电压 (v
IL
)bv
DD
= 2.7v
–
0.3 0.8 V
输入 电流 (i
在
)v
I
= bv
DD
或者 地
±
50 nA
输入 电容 (c
I
)5pf
数字的 输出
(3)
逻辑 家族 LVCMOS
高-水平的 输出 电压 (v
OH
)bv
DD
= 2.7v, i
OH
=
–
100
µ
ABV
DD
–
0.2 V
低-水平的 输出 电压 (v
OL
)bv
DD
= 2.7v, i
OL
= 100
µ
一个 0.2 V
高-阻抗-状态 输出 电流 (i
OZ
)
cs = bv
DD
, vi = bv
DD
或者 地
±
50 nA
输出 电容 (c
O
)5pf
加载 电容 (c
L
) 30 pF
数据 format 二进制的 二's complement
电源 供应
相似物 供应 电压 (av
DD
) 4.75 5.25 V
缓存区 i/o 供应 电压 (bv
DD
) 低-电压 水平 2.7 3.6 V
5v 逻辑 水平 4.5 5.5 V
数字的 供应 电压 (dv
DD
) 4.75 5.25 V
相似物 运行 供应 电流 (ai
DD
)8090ma
缓存区 i/o 运行 供应 电流 (bi
DD
)bv
DD
= 3v 300
µ
一个
BV
DD
= 5v 200 300
µ
一个
数字的 运行 供应 电流 (di
DD
) 2.5 4 毫安
电源 消耗 BV
DD
= 3v 413.1 470.9 mW
BV
DD
= 5v 413.5 471.5 mW
注释: (1) 所有 值 是 在 t
一个
= 25
°
c. (2) 应用 为 5.0v 名义上的 供应: bv
DD
(最小值) = 4.5v 和 bv
DD
(最大值) = 5.5v. (3) 应用 为 3.0v 名义上的 supply:
BV
DD
(最小值) = 2.7v 和 bv
DD
(最大值) = 3.6v.
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