6 Am28F256
管脚 描述
A0–A14
一个
ddress 输入 为 记忆 locations. 内部的 latches
支撑 地址 在 写 循环.
CE
#
(e
#
)
碎片 使能 起作用的 低 输入 activates 这 碎片’s 控制
逻辑 和 输入 缓存区. 碎片 使能 高 将 deselect
这 设备 和 运作 这 碎片 在 保卫-用 模式.
DQ0–DQ7
数据 输入 在 记忆 写 循环. 内部的
latches 支撑 数据 在 写 循环. 数据 输出
在 记忆 读 循环.
NC
非 连接-相应的 管脚 是 不 连接
internally 至 这 消逝.
OE
#
(g
#
)
输出 使能 起作用的 低 输入 门 这 输出 的 这
设备 通过 这 数据 缓存区 在 记忆
读 循环. 输出 使能 是 高 在 command
sequencing 和 程序/擦掉 行动.
V
CC
电源 供应 为 设备 运作. (5.0 v
±
5% 或者 10%)
V
PP
程序 电压 输入. v
PP
必须 是 在 高 电压 在
顺序 至 写 至 这 command 寄存器. 这 command
寄存器 控制 所有 功能 必需的 至 改变 这
记忆 排列 内容. 记忆 内容 不能 是
改变 当 v
PP
≤
V
CC
+2 v.
V
SS
地面
我们
#
(w
#
)
写 使能 起作用的 低 输入 控制 这 写 函数
的 这 command 寄存器 至 这 记忆 排列. 这
目标 地址 是 latched 在 这 下落 边缘 的 这
写 使能 脉冲波 和 这 适合的 数据 是 latched
在 这 rising 边缘 的 这 脉冲波. 写 使能 高
inhibits writing 至 这 设备.
: 点此下载
