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资料编号:966855
 
资料名称:AM29F016B-1
 
文件大小: 190K
   
说明
 
介绍:
16 Megabit (2 M x 8-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Sector Erase Flash Memory-Die Revision 1
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
2 am29f016b 知道 好的 消逝
2/17/98
SUPPLEMENT
一般 描述
这 am29f016b 在 知道 好的 消逝 (kgd) 表格 是 一个
16 mbit, 5.0 volt-仅有的 flash 记忆. amd 定义 kgd
作 标准 产品 在 消逝 表格, 测试 为 符合实际
和 速. amd kgd 产品 有 这 一样 relia-
bility 和 质量 作 amd 产品 在 packaged 表格.
am29f016b 特性
这 am29f016b 是 一个 16 mbit, 5.0 volt-仅有的 flash
记忆 有组织的 作 2,097,152 字节 的 8 位 各自.
这 2 mbytes 的 数据 是 分隔 在 32 sectors 的 64
kbytes 各自 为 有伸缩性的 擦掉 能力. 这 8 位 的
数据 呈现 在 dq0–dq7. 这 am29f016b 是 manu-
factured 使用 amd’s 0.35 µm 处理 技术.
这个 设备 是 设计 至 是 编写程序 在-系统
和 这 标准 系统 5.0 volt v
CC
供应. 一个 12.0
volt v
PP
是 不 必需的 为 程序 或者 擦掉
行动. 这 设备 能 也 是 编写程序 在
标准 非易失存储器 programmers.
这 标准 设备 提供 一个 进入 时间 的 120 ns,
准许 高-速 微处理器 至 运作
没有 wait states. 至 eliminate 总线 contention, 这
设备 有 独立的 碎片 使能 (ce#), 写 使能
(we#), 和 输出 使能 (oe#) 控制.
这 设备 是 全部地 command 设置 兼容 和 这
电子元件工业联合会 单独的-电源-供应 flash 标准. com-
mands 是 写 至 这 command 寄存器 使用
标准 微处理器 写 timings. 寄存器
内容 提供 作 输入 至 一个 内部的 状态 机器
那 控制 这 擦掉 和 程序编制 电路系统.
写 循环 也 内部 获得 地址 和 数据
需要 为 这 程序编制 和 擦掉 行动.
读 数据 输出 的 这 设备 是 类似的 至 读
从 12.0 volt flash 或者 非易失存储器 设备.
这 设备 是 编写程序 用 executing 这 程序
command sequence. 这个 invokes 这 embedded
程序 algorithm—an 内部的 algorithm 那 自动-
matically 时间 这 程序 脉冲波 widths 和 核实
恰当的 cell 余裕. 这 设备 是 erased 用 executing
这 擦掉 command sequence. 这个 invokes 这
embedded 擦掉 algorithm—an 内部的 algorithm 那
automatically preprograms 这 排列 (如果 它 是 不 already
编写程序) 在之前 executing 这 擦掉 运作.
在 擦掉, 这 设备 automatically 时间 这 擦掉
脉冲波 widths 和 核实 恰当的 cell 余裕.
这 sector 擦掉 architecture 准许 记忆 sectors
至 是 erased 和 reprogrammed 没有 影响 这
数据 内容 的 其它 sectors. 一个 sector 是 典型地
erased 和 核实 在里面 一个 第二. 这 设备 是
erased 当 运输 从 这 工厂.
这 硬件 sector 组 保护 特性 使不能运转
两个都 程序 和 擦掉 行动 在 任何 结合体
的 这 第八 sector groups 的 记忆. 一个 sector 组
组成 的 四 调整 sectors.
这 擦掉 suspend 特性 使能 这 系统 至 放
擦掉 在 支撑 为 任何 时期 的 时间 至 读 数据 从,
或者 程序 数据 至, 一个 sector 那 是 不 正在 erased.
真实 background 擦掉 能 因此 是 达到.
这 设备 需要 仅有的 一个 单独的 5.0 volt 电源 供应
为 两个都 读 和 写 功能. 内部 发生
和 管制 电压 是 提供 为 这 程序
和 擦掉 行动. 一个 低 v
CC
探测器 automatically
inhibits 写 行动 在 电源 transitions. 这
host 系统 能 发现 whether 一个 程序 或者 擦掉
循环 是 完全 用 使用 这 ry/by# 管脚, 这 dq7
(data# polling) 或者 dq6 (toggle) 状态 位.之后 一个
程序 或者 擦掉 循环 有 被 完成, 这
设备 automatically returns 至 这 读 模式.
一个 硬件 reset# 管脚 terminates 任何 运作 在
progress. 这 内部的 状态 机器 是 重置 至 这
读 模式. 这 reset# 管脚 将 是 系 至 这 系统
重置 电路系统. 因此, 如果 一个 系统 重置 occurs
在 也 一个 embedded 程序 或者 embedded
擦掉 algorithm, 这 设备 是 automatically 重置 至 这
读 模式. 这个 使能 这 系统’s 微处理器
至 读 这 激励-向上 firmware 从 这 flash 记忆.
amd’s flash 技术 结合 年 的 flash
记忆 制造 experience 至 生产 这
最高的 水平 的 质量, 可靠性, 和 费用
成效. 这 设备 用电气 erases 所有 位
在里面 一个 sector 同时发生地 通过 fowler-nordheim
tunneling. 这 字节 是 编写程序 一个 字节 在 一个
时间 使用 这 非易失存储器 程序编制 mechanism 的 hot
electron injection.
电的 规格
谈及 至 这 am29f016b 数据 薄板, pid 21444, 为 全部
电的 规格 在 这 am29f016b 在 kgd
m.
产品 选择 手册
家族 部分 号码
am29f016b kgd
速 选项 (v
CC
= 5.0 v
±
10%)
-120
最大值 进入 时间, t
ACC
(ns) 120
最大值 ce# 进入, t
CE
(ns) 120
最大值 oe# 进入, t
OE
(ns) 50
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