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资料编号:968109
 
资料名称:AS7C31026-12TC
 
文件大小: 239K
   
说明
 
介绍:
5V/3.3V 64Kx6 CMOS SRAM
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
SRAM
®
AS7C1026
AS7C31026
did 11-20011-一个. 5/22/00
alliance 半导体 5
SRAM
写 循环 (在 这 运行 范围)

shaded areas 表明 初步的 信息.
写 波形 1 (我们控制)

写 波形 2 (ce控制)

参数 标识
-10 -12 -15 -20
单位 注释最小值 最大值 最小值 最大值 最小值 最大值 最小值 最大值
写 循环 时间 t
WC
10–12–15–20– ns
碎片 使能 (ce
) 至 写 终止 t
CW
8–8–12–13– ns
地址 建制 至 写 终止 t
AW
8–9–10–12– ns
地址 建制 时间 t
0–0–0–0– ns
写 脉冲波 宽度 t
WP
8–8–10–12– ns
地址 支撑 从 终止 的 写 t
AH
0–0–0–0– ns
数据 有效的 至 写 终止 t
DW
5–6–8–10– ns
数据 支撑 时间 t
DH
0–0–0–0– ns 5
写 使能 至 输出 在 高 z t
WZ
–6–6–6–8 ns 4, 5
输出 起作用的 从 写 终止 t
OW
1–1–1–2– ns 4, 5
字节 选择 低 至 终止 的 写 t
BW
8–8–9–12– ns
地址
CE
LB, ub
我们
数据
数据
输出
t
WC
t
CW
t
BW
t
AW
t
t
WP
t
DW
t
DH
t
OW
t
WZ
t
WR
数据 未阐明的
高 z
数据 有效的
地址
CE
LB, ub
我们
数据
t
WC
t
CW
t
BW
t
WP
t
DW
t
DH
t
OW
t
WZ
t
WR
数据
输出
数据 未阐明的
高 z 高 z
t
t
AW
数据 有效的
t
CLZ
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