进步 技术的
信息
典型的 / 测试 情况
流-源 损坏 电压 (v
GS
= 0v, i
D
= 250µa)
在 状态 流 电流
2
(v
DS
> i
d(在)
x r
ds(在)
最大值, v
GS
= 10v)
流-源 在-状态 阻抗
2
(v
GS
= 10v, 0.5 i
d[cont.]
)
零 门 电压 流 电流 (v
DS
= v
DSS
, v
GS
= 0v)
零 门 电压 流 电流 (v
DS
= 0.8 v
DSS
, v
GS
= 0v, t
C
= 125°c)
门-源 泄漏 电流 (v
GS
= ±30v, v
DS
= 0v)
门 门槛 电压 (v
DS
= v
GS
, i
D
= 2.5ma)
050-7012 rev- 1-2001
最大 比率
所有 比率: t
C
= 25°c 除非 否则 指定.
标识
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
V
GSM
P
D
T
J
,t
STG
T
L
I
AR
E
AR
E
作
参数
流-源 电压
持续的 流 电流 @ t
C
= 25°c
搏动 流 电流
1
门-源 电压 持续的
门-源 电压 瞬时
总的 电源 消耗 @ t
C
= 25°c
直线的 减额 因素
运行 和 存储 接合面 温度 范围
含铅的 温度: 0.063" 从 情况 为 10 秒.
avalanche 电流
1
(repetitive 和 非-repetitive)
repetitive avalanche 活力
1
单独的 脉冲波 avalanche 活力
4
单位
伏特
放大器
伏特
Watts
w/°c
°C
放大器
mJ
静态的 电的 特性
标识
BV
DSS
I
d(在)
R
ds(在)
I
DSS
I
GSS
V
gs(th)
单位
伏特
放大器
Ohms
µA
nA
伏特
最小值 典型值 最大值
500
67
0.065
25
250
±100
35
APT50M65
500
67
268
±30
±40
690
5.5
-55 至 150
300
67
50
3000
提醒:
这些 设备 是 敏感的 至 静电的 释放. 恰当的 处理 程序 应当 是 followed.
apt 网站 - http://www.advancedpower.com
USA
405 s.w. columbia 街道 bend, oregon 97702-1035 phone: (541)382-8028 传真: (541)388-0364
欧洲
chemin de magret f-33700 merignac - 法国 phone:(33) 5 57 92 15 15 传真:(33) 5 56 47 97 61
t-最大值
™
G
D
S
至-264
B2LL
LLL
电源 mos 7
TM
是 一个 新 一代 的 低 丧失, 高 电压, n-频道
增强 模式 电源 mosfets. 两个都 传导 和 切换
losses 是 addressed 和 电源 mos 7
TM
用 significantly lowering r
ds(在)
和 q
g
. 电源 mos 7
TM
结合 更小的 传导 和 切换 losses
along 和 exceptionally 快 切换 speeds 固有的 和 apt's
专利的 metal 门 结构.
电源 mos 7
TM
APT50M65B2LL
APT50M65LLL
500V 67A 0.065
• 更小的 输入 电容 • 增加 电源 消耗
• 更小的 miller 电容 • easier 至 驱动
• 更小的 门 承担, qg • Popular
t-max™
或者 至-264 包装
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