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rev. 9/14/99
AS1117
应用 注释 外部
电容
至 确保 这 稳固 的 这 as1117 一个 输出 电容 的
在 least 10
µ
f (tantalum)或者 50
µ
f (铝) 是 必需的.
这 值 将 改变 为基础 在 这 应用
(所需的)东西 在 这 输出 加载 或者 温度 范围. 这
电容 相等的 序列 阻抗 (等效串联电阻) 将 效应 这
as1117 稳固. 这 值 的 等效串联电阻 能 相异 从 这 类型
的 电容 使用 在 这 产品. 这 推荐
值 为 等效串联电阻 是 0.5
Ω
. 这 输出 电容 可以
增加 在 大小 至 在之上 这 最小 值. 这 大
值 的 输出 电容 作 高 作 100
µ
f 能 改进
这 加载 瞬时 回馈.
焊接 方法
这 as1117 sot-223 包装 是 设计 至 是 兼容
和 infrared 软熔焊接 或者 vapor-阶段 软熔焊接 焊接
技巧. 在 焊接 这 非-起作用的 或者 mildly
起作用的 fluxes 将 是 使用. 这 as1117 消逝 是 连结 至
这 散热器 含铅的 这个 exits opposite 这 输入, 输出, 和
地面 管脚.
hand 焊接 和 波 焊接 应当 是 避免 自从
这些 方法 能 导致 损坏 至 这 设备 和
过度的 热的 gradients 在 这 包装. 这 sot-223
推荐 焊接 方法 是 作 跟随: vapor 阶段
软熔焊接 和 infrared 软熔焊接 和 这 组件 preheated 至
在里面 65
°
c 的 这 焊接 温度 范围.
热的 特性
这 热的 阻抗 的 as1117 是 15
°
c/w 从 接合面
至 tab 和 31
°
c/w 从 tab 至 包围的 为 一个 总的 的 46
°
c/w 从 接合面 至 包围的. 这 as1117 特性 这
内部的 热的 限制的 至 保护 这 设备 在
超载 情况. 特定的 小心 needs 至 是 带去 在
continuos 加载 情况 这 最大 接合面
温度 做 不 超过 125
°
c.
带去 这 fr-4 打印 电路 板 和 1/16 厚 和 1
ounce 铜 foil 作 一个 experiment (图.1 &放大; 图.2), 这 pcb
材料 是 有效的 在 transmitting 热温 和 这 tab
连结 至 这 垫子 范围 和 一个 地面 平面 layer 在 这
backside 的 这 基质. 谈及 至 表格 1 为 这 结果 的
这 experiment.
这 热的 interaction 从 其它 组件 在 这
应用 能 效应 这 热的 阻抗 的 这 as1117.
这 真实的 热的 阻抗 能 是 决定 和
experimentation. as1117 电源 消耗 是 计算 作
跟随:
P
D
= (v
在
- v
输出
)(i
输出
)
最大 接合面 温度 范围:
T
J
= t
包围的
(最大值) + p
D
* 热的 阻抗 (接合面-至-
包围的)
最大 接合面 温度 必须 不 超过 这 125
°
c.
10uF
+
Ω
..
27K
as1117-2.85
+
10V
10uF
2.85v
50 x 50 mm
35 x 17 mm
16 x 10 mm
P
O
= (10v - 2.85)(105ma) = (7.15)(105ma) = 750mw
图. 1. 电路 布局, 热的 experiments.
图. 2. 基质 布局 为 sot-223
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