AT27C020
1
特性
•
快 读 进入 时间 - 55 ns
•
低 电源 cmos 运作
– 100
µ
一个 最大值 备用物品
– 25 毫安 最大值 起作用的 在 5 mhz
•
电子元件工业联合会 标准 包装
– 32-含铅的 600-mil pdip
– 32-含铅的 plcc
– 32-含铅的 tsop
•
5V
±
10% 供应
•
高-可靠性 cmos 技术
– 2,000v 静电释放 保护
– 200 毫安 latchup 免除
•
迅速
™
程序编制 algorithm - 100
µ
s/字节 (典型)
•
cmos 和 ttl 兼容 输入 和 输出
•
整体的 产品 identification 代号
•
商业的 和 工业的 温度 范围
描述
这 at27c020 是 一个 低-电源, 高 效能 2,097,152-位 一个-时间 programma-
ble 读 仅有的 记忆 (otp 非易失存储器) 有组织的 作 256k 用 8 位. 它 需要 仅有的
一个 5v 电源 供应 在 正常的 读 模式 运作. 任何 字节 能 是 accessed 在
较少 比 55 ns, eliminating 这 需要 为 速 减少 wait states 在 高 perfor-
mance 微处理器 系统.
在 读 模式, 这 at27c020 典型地 消费 8 毫安. 备用物品 模式 供应 电流
是 典型地 较少 比 10
µ
一个.
rev. 0570c-b–12/97
2-megabit
(256k x 8)
otp 非易失存储器
AT27C020
pdip 顶 视图
1
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VPP
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A0
O0
O1
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地
VCC
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OE
A10
CE
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tsop 顶 视图
Type1
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PGM
VCC
VPP
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A6
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OE
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CE
07
06
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地
02
01
O0
A0
A1
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plcc 顶 视图
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OE
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CE
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地
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VPP
VCC
PGM
A17
管脚 配置
管脚 名字 函数
a0 - a17 地址
o0 - o7 输出
CE
碎片 使能
OE
输出 使能
PGM
程序 strobe
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