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资料编号:970369
 
资料名称:AT-41532-TR1
 
文件大小: 146K
   
说明
 
介绍:
NPN SILICON TRANSISTOR
 
 


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在-41532 典型 scattering 参数,
一般 发射级,
Z
O
= 50
, v
CE
= 2.7 v, i
C
= 5 毫安
freq. S
11
S
21
S
12
S
22
GHz Mag Ang dB Mag Ang dB Mag Ang Mag Ang
0.5 0.400 -102 17.03 7.106 106 -25.97 0.050 59 0.671 -22
0.75 0.312 -130 14.15 5.101 91 -23.86 0.064 60 0.615 -24
1.0 0.270 -152 11.97 3.969 80 -22.09 0.079 61 0.588 -25
1.5 0.247 175 8.82 2.762 64 -19.10 0.111 63 0.564 -30
2.0 0.253 149 6.67 2.154 50 -16.60 0.148 62 0.553 -37
3.0 0.280 112 3.86 1.559 26 -12.48 0.238 55 0.535 -54
4.0 0.323 80 2.07 1.269 6 -9.19 0.347 43 0.514 -75
5.0 0.379 55 0.80 1.097 -12 -6.55 0.471 27 0.472 -99
6.0 0.434 38 -0.13 0.986 -28 -4.50 0.595 9 0.398 -130
7.0 0.480 24 -0.72 0.920 -43 -2.96 0.711 -11 0.309 -174
8.0 0.522 10 -1.20 0.871 -58 -2.07 0.788 -32 0.299 131
9.0 0.557 -5 -1.64 0.828 -72 -1.73 0.820 -53 0.366 87
10.0 0.595 -19 -2.17 0.779 -87 -1.86 0.808 -73 0.449 55
11.0 0.662 -29 -2.38 0.761 -99 -2.43 0.756 -92 0.533 27
12.0 0.709 -39 -3.56 0.664 -115 -3.03 0.705 -107 0.633 3
图示 11. 增益 vs. 频率 在
2.7 v, 5 毫安.
便条: db(|s
21
|) = 20
*
log(|s
21
|)
在-41532 典型 噪音 参数,
一般 发射级, z
O
= 50
, v
CE
= 2.7 v, i
C
= 5 毫安
freq. F
最小值
R
n
G
assoc
GHz dB
Mag Ang
ohms dB
0.9 1.2 0.283 106 7.3 14.0
1.8 1.4 0.41 -165 3.9 10.7
2.0 1.5 0.44 -151 4.8 9.8
2.5 1.7 0.53 -126 9.2 8.5
3.0 1.9 0.60 -106 18.4 7.5
3.5 2.2 0.67 -86 35.0 6.6
4.0 2.5 0.71 -69 58.0 5.8
Γ
opt
gmax
db(s|2,1|)
k
-5
25
15
20
5
0
10
0213
4 56
增益
(db)
0
1.2
0.8
1
0.2
0.4
0.6
k
频率 (ghz)
gmax = 最大 有 增益 (mag) 如果 k > 1
gmax = 最大 稳固的 增益 (msg) 如果 k < 1
k = 稳固 因素
mag =
S
21
(k
±
k
2
–1)
S
12
msg = |S
21
|/|s
12
|
k =
1 – |s
11
|
2
– |s
22
|
2
+ |d|
2
; d = s
11
S
22
S
12
S
21
2
*
|S
12
||S
21
|
2001.04.25, 7:58 pmpage 6
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