1
4-megabit
(512k x 8)
单独的 2.7-volt
电池-电压
™
flash 记忆
AT49BV040
AT49BV040T
AT49LV040
AT49LV040T
at49bv/lv040
特性
•
单独的 电压 为 读 和 写: 2.7v 至 3.6v (bv), 3.0v 至 3.6v (lv)
•
快 读 进入 时间 - 120 ns
•
内部的 程序 控制 和 计时器
•
16k 字节 激励 块 和 lockout
•
快 碎片 擦掉 循环 时间 - 10 秒
•
字节-用-字节 程序编制 - 30
µ
s/字节 典型
•
硬件 数据 保护
•
数据polling 为 终止 的 程序 发现
•
低 电源 消耗
– 25 毫安 起作用的 电流
–50
µ
一个 cmos 备用物品 电流
•
典型 10,000 写 循环
•
小 包装
– 8 x 8 mm cbga
– 8 x 14 mm v-tsop
描述
这 at49bv/lv040 是 3-volt-仅有的, 4-megabit flash memories 有组织的 作 524,288
words 的 8-位 各自. 制造的 和 atmel’s 先进的 nonvolatile cmos tech-
nology, 这 设备 提供 进入 时间 至 120 ns 和 电源 消耗 的 just 90 mw
在 这 商业的 温度 范围. 当 这 设备 是 deselected, 这 cmos
备用物品 电流 是 较少 比 50
µ
一个.
这 设备 包含 一个 用户-使能 “boot block” 保护 特性. 二 版本 的
这 特性 是 有: 这 at49bv/lv040 locates 这 激励 块 在 最低 顺序
地址 (“bottom boot”); 这 at49bv/lv040t locates 它 在 最高的 顺序 地址
(“top boot”).
0679ax-a–9/97
管脚 配置
管脚 名字 函数
a0 - a18 地址
CE
碎片 使能
OE
输出 使能
我们
写 使能
i/o0 - i/o7 数据 输入/输出
cbga 顶 视图
一个
B
C
D
E
F
1
234567
地
A17
A10
A14
A16
A15
i/o6
i/o7
NC
A13
A11
A12
VCC
i/o4
i/o5
A9
我们
A8
VCC
NC
NC
NC
NC
NC
i/o2
NC
i/o3
NC
A7
A18
OE
i/o0
i/o1
A6
A4
A5
地
CE
A0
A3
A1
A2
plcc 顶 视图
v - tsop 顶 视图 (8 x 14 mm) 或者
t - tsop 顶 视图 (8 x 20 mm)
(持续)
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