5-30
atf-10736 绝对 最大 比率
绝对
标识 参数 单位 最大
[1]
V
DS
流-源 电压 V +5
V
GS
门-源 电压 V -4
V
GD
门-流 电压 V -7
I
DS
流 电流 毫安 I
DSS
P
T
总的 电源 消耗
[2,3]
mW 430
T
CH
频道 温度
°
C 175
T
STG
存储 温度
[4]
°
C -65 至 +175
注释:
1. 永久的 损坏 将 出现 如果
任何 的 这些 限制 是 超过.
2. T
情况 温度
= 25
°
c.
3. 减额 在 2.9 mw/
°
c 为
T
情况
> 25
°
c.
4. 存储 在之上 +150
°
c 将 tarnish
这 leads 的 这个 包装 difficult 至
焊盘 在 一个 电路. 之后 一个 设备
有 被 焊接 在 一个 电路, 它
将 是 safely 贮存 向上 至 175
°
c.
5. 这 小 spot 大小 的 这个 tech-
nique 结果 在 一个 高等级的, though
更多 精确 determination 的
θ
jc
比 做 alternate 方法. 看
度量 部分 为
更多 信息.
部分 号码 订货 信息
部分 号码 设备 每 卷轴 卷轴大小
atf-10736-tr1 1000 7"
atf-10736-str 10 STRIP
为 更多 信息, 看 “tape 和 卷轴 包装 为 半导体 设备.”
atf-10736 典型 效能, t
一个
= 25
°
C
热的 阻抗:
θ
jc
= 350
°
c/w; t
CH
= 150
°
C
liquid 结晶 度量:
1
µ
m spot 大小
[5]
atf-10736 噪音 参数:
V
DS
= 2 v, i
DS
= 25 毫安
freq. NF
O
Γ
opt
GHz dB
Mag Ang
R
N
/50
1.0 0.8 0.88 41 0.52
2.0 0.9 0.75 85 0.27
4.0 1.2 0.48 159 0.08
6.0 1.4 0.46 -122 0.08
8.0 1.7 0.53 -71 0.43
频率 (ghz)
NF
O
(db)
图示 3. 嵌入 电源 增益,
最大 有 增益 和
最大 稳固的 增益 vs. 频率.
V
DS
= 4 v, i
DS
= 70 毫安.
频率 (ghz)
增益 (db)
2.0
1.5
1.0
0.5
0
18
15
12
9
6
G
一个
(db)
2.0 6.04.0 8.0 10.0 12.0
G
一个
NF
O
|S
21
|
2
MSG
MSG
MAG
0.5 1.0 2.0 4.0
6.0 8.0 12.0
30
25
20
15
10
5
0
图示 1. 最佳的 噪音 图示 和
有关联的 增益 vs. 频率.
V
DS
= 2v, i
DS
= 25 毫安, t
一个
= 25
°
c.
图示 2. 嵌入 电源 增益,
最大 有 增益 和
最大 稳固的 增益 vs. 频率.
V
DS
= 2 v, i
DS
= 25 毫安.
频率 (ghz)
增益 (db)
|S
21
|
2
MSG
MAG
0.5 1.0 2.0 4.0
6.0 8.0 12.0
30
25
20
15
10
5
0
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