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资料编号:971218
 
资料名称:BC847CT
 
文件大小: 229K
   
说明
 
介绍:
NPN Silicon AF Transistors
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
1999 Apr 26 2
飞利浦 半导体 初步的 规格
npn 一般 目的 晶体管 bc846t; bc847t
特性
低 电流 (最大值. 100 毫安)
低 电压 (最大值. 65 v).
产品
一般 目的 切换 和 放大器, 特别
在 可携带的 交流 设备
电子的 数据 处理 (edp) 和 消费者
产品.
描述
npn 晶体管 在 一个 sc-75 塑料 包装.
PNP complements: bc856t 和 bc857t.
标记
类型
号码
标记
代号
类型
号码
标记
代号
BC846AT 1A BC847BT 1F
BC846BT 1B BC847CT 1G
BC847AT 1E
固定
管脚 描述
1 根基
2 发射级
3 集电级
图.1 simplified 外形 (sc-75) 和 标识.
handbook, halfpage
MAM348
1
2
3
顶 视图
12
3
限制的 值
在 一致 和 这 绝对 最大 比率 系统 (iec 134).
便条
1. 晶体管 挂载 在 一个 fr4 打印-电路 板.
标识 参数 情况 最小值 最大值 单位
V
CBO
集电级-根基 电压 打开 发射级
bc846at; BC846BT
80 V
bc847at; bc847bt; BC847CT
50 V
V
CEO
集电级-发射级 电压 打开 根基
bc846at; BC846BT
65 V
bc847at; bc847bt; BC847CT
45 V
V
EBO
发射级-根基 电压 打开 集电级
5V
I
C
集电级 电流 (直流)
100 毫安
I
CM
顶峰 集电级 电流
200 毫安
I
BM
顶峰 根基 电流
100 毫安
P
tot
总的 电源 消耗 T
amb
25
°
c; 便条 1
150 mW
T
stg
存储 温度
65 +150
°
C
T
j
接合面 温度
150
°
C
T
amb
运行 包围的 温度
65 +150
°
C
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