1999 Apr 12 2
飞利浦 半导体 产品 规格
npn 一般 目的 晶体管 bc849w; bc850w
特性
•
低 电流 (最大值. 100 毫安)
•
低 电压 (最大值. 45 v).
产品
•
低 噪音 stages 在 录音带 recorders, hi-fi 放大器 和
其它 音频的-频率 设备.
描述
npn 晶体管 在 一个 sot323 塑料 包装.
PNP complements: bc859w 和 bc860w.
标记
便条
1.
∗
= - : 制造 在 香 港.
∗
= t : 制造 在 马来西亚.
类型
号码
标记
代号
(1)
类型
号码
标记
代号
(1)
BC849BW 2B
∗
BC850BW 2F
∗
BC849CW 2C
∗
BC850CW 2G
∗
固定
管脚 描述
1 根基
2 发射级
3 集电级
图.1 simplified 外形 (sot323) 和 标识.
handbook, halfpage
2
3
1
MAM062
3
2
1
顶 视图
限制的 值
在 一致 和 这 绝对 最大 比率 系统 (iec 134).
便条
1. 晶体管 挂载 在 一个 fr4 打印-电路 板.
标识 参数 情况 最小值 最大值 单位
V
CBO
集电级-根基 电压 打开 发射级
BC849W
−
30 V
BC850W
−
50 V
V
CEO
集电级-发射级 电压 打开 根基
BC849W
−
30 V
BC850W
−
45 V
V
EBO
发射级-根基 电压 打开 集电级
−
5V
I
C
集电级 电流 (直流)
−
100 毫安
I
CM
顶峰 集电级 电流
−
200 毫安
I
BM
顶峰 根基 电流
−
200 毫安
P
tot
总的 电源 消耗 T
amb
≤
25
°
c; 便条 1
−
200 mW
T
stg
存储 温度
−
65 +150
°
C
T
j
接合面 温度
−
150
°
C
T
amb
运行 包围的 温度
−
65 +150
°
C
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