1999 将 28 3
飞利浦 半导体 产品 规格
pnp 一般 目的 晶体管 bc859; bc860
热的 特性
便条
1. 晶体管 挂载 在 一个 fr4 打印-电路 板.
特性
T
j
=25
°
c 除非 否则 specified.
注释
1. V
BEsat
减少 用 关于
−
1.7 mv/k 和 增加 温度.
2. V
是
减少 用 关于
−
2 mv/k 和 增加 温度.
标识 参数 情况 值 单位
R
th j-一个
热的 阻抗 从 接合面 至 包围的 便条 1 500 k/w
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
I
CBO
集电级 截-止 电流 I
E
= 0; v
CB
=
−
30 V
−−
1
−
15 nA
I
E
= 0; v
CB
=
−
30 v; t
j
= 150
°
C
−−−
4
µ
一个
I
EBO
发射级 截-止 电流 I
C
= 0; v
EB
=
−
5V
−−−
100 nA
h
FE
直流 电流 增益 I
C
=
−
2 毫安; v
CE
=
−
5v;
看 Figs 2 和 3
bc859b; bc860b 220
−
475
bc859c; bc860c 420
−
800
V
CEsat
集电级-发射级 饱和
电压
I
C
=
−
10 毫安; i
B
=
−
0.5 毫安
−−
75
−
300 mV
I
C
=
−
100 毫安; i
B
=
−
5mA
−−
250
−
650 mV
V
BEsat
根基-发射级 饱和 电压 I
C
=
−
10 毫安; i
B
=
−
0.5 毫安; 便条 1
−−
700
−
mV
I
C
=
−
100 毫安; i
B
=
−
5 毫安; 便条 1
−−
850
−
mV
V
是
根基-发射级 电压 I
C
=
−
2 毫安; v
CE
=
−
5 v; 便条 2
−
600
−
650
−
750 mV
I
C
=
−
10 毫安; v
CE
=
−
5 v; 便条 2
−−−
820 mV
C
c
集电级 电容 I
E
=i
e
= 0; v
CB
=
−
10 v; f = 1 MHz
−
4.5
−
pF
C
e
发射级 电容 I
C
=i
c
= 0; v
EB
=
−
500 mv; f = 1 MHz
−
10
−
pF
f
T
转变 频率 I
C
=
−
10 毫安; v
CE
=
−
5 v; f = 100 MHz 100
−−
MHz
F 噪音 figure I
C
=
−
200
µ
一个; v
CE
=
−
5 v; r
S
=2k
Ω
;
f = 30 Hz 至 15 kHz
bc859b; bc860b;
bc859c; BC860C
−−
4dB
噪音 figure I
C
=
−
200
µ
一个; v
CE
=
−
5 v; r
S
=2k
Ω
;
f = 1 khz; b = 200 Hz
bc859b; bc860b;
bc859c; BC860C
−−
4dB
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