BDY57_集成电路资料查询网

comset 半导体
1/3
bdy57 – bdy58
绝对 最大 比率
标识 比率 值 单位
BDY57
80
V
CEO
集电级-发射级 电压
BDY58
125
V
BDY57
120
V
CBO
集电级-根基 电压
BDY58
160
V
V
EBO
发射级-根基 电压
BDY57
BDY58
10 V
I
C
集电级 电流
BDY57
BDY58
25
一个
I
B
根基 电流
BDY57
BDY58
6
一个
P
TOT
电源 消耗 @ t
C
= 25°
BDY57
BDY58
175 Watts
T
J
接合面 温度
T
S
存储 温度
BDY57
BDY58
-65 至 +200 °C
热的 特性
标识 比率 值 单位
R
thj-c
热的 阻抗, 接合面 至 情况
BDY57
BDY58
1°c/w
lf 大 信号 电源 放大器
高 电流 快 切换
N
N
P
P
N
N
S
S
I
I
L
L
I
I
C
C
O
O
N
N
T
T
R
R
一个
一个
N
N
S
S
I
I
S
S
T
T
O
O
R
R
S
S
,
,
D
D
I
I
F
F
F
F
U
U
S
S
E
E
D
D
M
M
E
E
S
S
一个
一个

标　题:
内　容:
用户名:

手机号:	(*未登录用户需填写手机号,手机号不公开,可用于网站积分.)

本平台电子爱好着纯手工中文简译:	截至2020/5/17日,支持英文词汇500个

comset 半导体 1/3 bdy57 – bdy58 绝对最大比率标识比率值单位 BDY57 80 V CEO 集电级-发射级电压 BDY58 125 V BDY57 120 V CBO 集电级-根基电压 BDY58 160 V V EBO 发射级-根基电压 BDY57 BDY58 10 V I C 集电级电流 BDY57 BDY58 25 一个 I B 根基电流 BDY57 BDY58 6 一个 P TOT 电源消耗 @ t C = 25° BDY57 BDY58 175 Watts T J 接合面温度 T S 存储温度 BDY57 BDY58 -65 至 +200 °C 热的特性标识比率值单位 R thj-c 热的阻抗, 接合面至情况 BDY57 BDY58 1°c/w lf 大信号电源放大器高电流快切换 N N P P N N S S I I L L I I C C O O N N T T R R 一个一个 N N S S I I S S T T O O R R S S , , D D I I F F F F U U S S E E D D M M E E S S 一个一个

	电话：13410210660 QQ : 84325569
	联系方式： E-mail:CaiZH01@163.com