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产品 数据 薄板 rev. 01 — 18 将 2004 9 的 22
飞利浦 半导体
BF1205C
双 n-频道 双 门 mos-场效应晶体管
V
ds(一个)
=V
ds(b)
=5v; v
g1-s(b)
= 0 v; f = 50 mhz;
T
amb
=25
°
c; 看 图示 33.
V
ds(一个)
=5v; v
g2-s(一个)
=4v; v
ds(b)
=V
g1-s(b)
=0v;
I
d(一个)
=19ma.
图 12. 流 电流 作 一个 函数 的 增益 减少;
典型 值.
图 13. 输入 admittance 作 一个 函数 的 频率;
典型 值.
001aaa562
增益 减少 (db)
0604020
16
8
24
32
I
D
(毫安)
0
001aaa564
f (mhz)
10 10
3
10
2
10
−
1
1
10
10
2
b
是
, g
是
(ms)
10
−
2
b
是
g
是
V
ds(一个)
=5v; v
g2-s(一个)
=4v; v
ds(b)
=V
g1-s(b)
=0v;
I
d(一个)
=19ma.
V
ds(一个)
=5v; v
g2-s(一个)
=4v; v
ds(b)
=V
g1-s(b)
=0v;
I
d(一个)
=19ma.
图 14. 向前 转移 admittance 和 阶段 作 一个
函数 的 频率; 典型 值.
图 15. 反转 转移 admittance 和 阶段 作 一个
函数 的 频率: 典型 值.
f (mhz)
10 10
3
10
2
001aaa565
10
10
2
y
fs
(ms)
1
−ϕ
fs
(deg)
10
10
2
1
y
fs
−ϕ
fs
001aaa566
10
2
10
10
3
y
rs
(ms)
1
10
2
10
10
3
−ϕ
rs
(deg)
1
f (mhz)
10 10
3
10
2
y
rs
−ϕ
rs