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资料编号:971792
 
资料名称:BS62LV1027SCP55
 
文件大小: 427K
   
说明
 
介绍:
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM
 
 


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r0201-bs62lv1027
修订 2.1
jan. 2004
3
BSI
BS62LV1027
1. 典型 特性 是 在 ta = 25
o
c.
2. 这些 是 绝对 值 和 遵守 至 设备 地面 和 所有 overshoots 预定的 至 系统 或者 tester 注意 是 包含.
3. fmax = 1/t
RC
.
4. icc
sb1_最大值.
是 1.3ua/8.0ua 在 vcc=3.0v/5.0v 和 t
一个
=70
o
c.
5. icc
_最大值.
是 18ma(@3v)/ 47ma(@5v) 下面 55ns 运作.
数据 保持 特性
( ta = -40
o
c 至 + 85
o
c )
1. vcc = 1.5v, T
一个
= + 25
O
C
2. t
RC
= 读 循环 时间
3. i
cc
dr_最大值.
是 0.2ua 在 t
一个
=70
O
c.
直流 电的 特性
( ta = -40
o
c 至 + 85
o
c )
低 v
CC
数据 保持 波形 (1)
( ce1 控制 )
CE1
数据 保持 模式
Vcc
t
CDR
Vcc
t
R
V
IH
V
IH
Vcc
V
DR
1.5v
ce1 vcc - 0.2v
低 v
CC
数据 保持 波形 (2)
( ce2 控制 )
标识 参数 测试 情况 最小值 典型值
(1)
最大值 单位
V
DR
vcc 为 数据 保持
CE1
vcc - 0.2v 或者 ce2
0.2v,
V
vcc - 0.2v 或者 v
0.2v
1.5 -- -- V
I
CCDR
(3)
数据 保持 电流
CE1
vcc - 0.2v 或者 ce2
0.2v,
V
vcc - 0.2v 或者 v
0.2v
-- 0.05 0.3 uA
t
CDR
碎片 deselect 至 数据
保持 时间
0 -- -- ns
t
R
运作 恢复 时间
看 保持 波形
T
RC
(2)
-- -- ns
CE2
数据 保持 模式
Vcc
t
CDR
Vcc
t
R
V
IL
V
IL
Vcc
V
DR
1.5v
CE2
0.2v
PARAMETER
名字
PARAMETER 测试 情况 最小值 典型值
(1)
最大值
单位
vcc=3.0v
V
IL
有保证的 输入 低
电压
(2)
vcc=5.0v
-0.5 -- 0.8 V
vcc=3.0v
2.0
V
IH
有保证的 输入 高
电压
(2)
vcc=5.0v
2.2
-- vcc+0.3 v
I
IL
输入 泄漏 电流
vcc = 最大值, v
= 0v 至 vcc
-- -- 1 uA
I
LO
输出 泄漏 电流
vcc = 最大值, ce1= v
IH
, ce2= v
il,
或者
oe = v
IH
, v
i/o
= 0v 至 vcc
-- -- 1 uA
vcc=3.0v
V
OL
输出 低 电压 vcc = 最大值, i
OL
= 2.0ma
vcc=5.0v
-- -- 0.4V
vcc=3.0v
V
OH
输出 高 电压 vcc = 最小值, i
OH
= -1.0ma
vcc=5.0v
2.4 -- -- V
vcc=3.0v
-- -- 15
I
CC
(5)
运行 电源 供应
电流
ce1 = v
IL
, 或者 ce2 = v
IH
,
I
DQ
= 0ma, f = fmax
(3)
70ns
vcc=5.0v
-- -- 39
毫安
vcc=3.0v
-- -- 0.5
I
CCSB
备用物品 电流-ttl
ce1 = v
IH
, 或者 ce2 = v
IL
,
I
DQ
= 0ma
vcc=5.0v
-- -- 1.0
毫安
vcc=3.0v
-- 0.1 2.5
I
CCSB1
(4)
备用物品 电流-cmos
CE1
vcc-0.2v 或者 ce2
0.2v,
V
vcc-0.2v 或者 v
0.2v
vcc=5.0v
-- 0.6 20
uA
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