ds18004 rev. 21 - 2 3 的 3 bzt52c2v0 - bzt52c39
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0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
25050
75
100 125 150
p,pOWER DISSIPATIOn(w)
D
T , 包围的 温度 (
°
c)
一个
图. 1 电源 消耗 vs 包围的 温度
0.6
0
10
20
30
40
50
01 2 3 4 5 6
7
8910
I , 齐纳 电流 (毫安)
Z
V , 齐纳 电压 (v)
Z
图. 2 齐纳 损坏 特性
T=25°C
j
C2V7
C3V3
C3V9
C4V7
C5V6
C6V8
C8V2
C6V2
测试 电流 I
Z
5.0ma
0
10
20
30
0
I , 齐纳 电流 (毫安)
Z
V , 齐纳 电压 (v)
Z
图. 3 齐纳 损坏 特性
10 20 30 40
T = 25°C
j
测试 电流 I
Z
5mA
测试 电流 I
Z
2mA
C10
C12
C18
C22
C27
C33
C36
C15
0
2
4
6
8
10
10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
I , 齐纳 电流 (毫安)
Z
V , 齐纳 电压 (v)
Z
Fig. 4 齐纳 损坏 特性
测试 电流 I
Z
2mA
C39
T = 25°C
j
C , 总的 电容 (pf)
T
10
100
1000
10
100
1
V , 名义上的 齐纳 电压 (v)
Z
图. 5 总的 电容 vs 名义上的 齐纳 电压
T=25°C
j
f = 1MHz
V=1V
R
V=2V
R
V=1V
R
V=2V
R