飞利浦 半导体
buk7508-55a; buk7608-55a
trenchmos™ 标准 水平的 场效应晶体管
产品 数据 rev. 02 — 17 january 2002 3 的 14
9397 750 09091
© koninklijke 飞利浦 electronics n.v. 2002. 所有 权利 保留.
V
GS
≥
4.5 V
图 1. normalized 总的 电源 消耗 作 一个
函数 的 挂载 根基 温度.
图 2. 持续的 流 电流 作 一个 函数 的
挂载 根基 温度.
T
mb
=25
°
c; i
DM
单独的 脉冲波.
图 3. safe 运行 范围; 持续的 和 顶峰 流 电流 作 一个 函数 的 流-源 电压.
03na19
0
20
40
60
80
100
120
0 25 50 75 100 125 150 175 200
P
der
(%)
T
mb (ºc)
03nh50
0
20
40
60
80
100
120
140
25 50 75 100 125 150 175 200
T
mb
(ºc)
I
D
(一个)
capped 在 75 一个 预定的 至 包装
P
der
P
tot
P
tot 25 C
°
()
-----------------------
100
%
×
=
03nh48
1
10
10
2
10
3
1 10 10
2
V
DS
(v)
I
D
(一个)
直流
100 ms
10 ms
R
DSon
= v
DS
/ i
D
1 ms
t
p
= 10 µs
100 µs
capped 在 75 一个 预定的 至 包装