飞利浦 半导体
buk75/7610-100b
trenchmos™ 标准 水平的 场效应晶体管
产品 数据 rev. 02 — 19 九月 2002 3 的 15
9397 750 10281
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V
GS
≥
10 V
图 1. normalized 总的 电源 消耗 作 一个
函数 的 挂载 根基 温度.
图 2. 持续的 流 电流 作 一个 函数 的
挂载 根基 温度.
T
mb
=25
°
c; i
DM
单独的 脉冲波.
图 3. safe 运行 范围; 持续的 和 顶峰 流 电流 作 一个 函数 的 流-源 电压.
03na19
0
40
80
120
0 50 100 150 200
T
mb
(°
c)
P
der
(%)
03ng70
0
40
80
120
0 50 100 150 200
T
mb
(ºc)
I
D
(一个)
capped 在 75 一个 预定的 至 包装
P
der
P
tot
P
tot 25 C
°
()
-----------------------
100
%
×
=
03ng68
1
10
10
2
10
3
1 10 10
2
10
3
V
DS
(v)
I
D
(一个)
直流
100 ms
10 ms
1 ms
t
p
= 10 µs
100 µs
capped 在 75 一个 预定的 至 包装
限制 r
DSon
= v
DS
/i
D
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