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CY7C199C
文档 #: 38-05408 rev. *a 页 9 的 12
写 循环 非. 2
(ce控制)
17  18  19
写 循环 非. 3
(我们控制, oe低)
20
注释:
17. 这个 循环 是 ce控制.
18. 数据 在/输出 是 高 阻抗 如果 oe
= v
IH
.
19. 如果 ce
变得 高 同时发生地 和 我们going 高, 这 输出 仍然是 在 一个 high–impedance 状态.
20. 这 循环 是 我们
控制, oe低. 这 最小 写 循环 时间 是 这 总 的 t
HZWE
和 t
SD
.
地址
CE
我们
Data 在/输出
t
WC
数据-在  有效的
t
SCE
t
SA
t
AW
t
HA
t
HD
t
SD
高 z 高 z
地址
CE
我们
数据
在/输出
t
WC
数据-在 有效的
t
SCE
t
SA
t
AW
t
PWE
t
HA
t
HD
t
SD
t
HZWE
t
LZWE
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CY7C199C 文档 #: 38-05408 rev. *a 页 9 的 12 写循环非. 2 (ce控制) 17 18 19 写循环非. 3 (我们控制, oe低) 20 注释: 17. 这个循环是 ce控制. 18. 数据在/输出是高阻抗如果 oe = v IH . 19. 如果 ce 变得高同时发生地和我们going 高, 这输出仍然是在一个 high–impedance 状态. 20. 这循环是我们控制, oe低. 这最小写循环时间是这总的 t HZWE 和 t SD . 地址 CE 我们 Data 在/输出 t WC 数据-在有效的 t SCE t SA t AW t HA t HD t SD 高 z 高 z 地址 CE 我们数据在/输出 t WC 数据-在有效的 t SCE t SA t AW t PWE t HA t HD t SD t HZWE t LZWE 未阐明的看 footnotes 未阐明的看 footnotes

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