4
输入 泄漏
电流
I
I
V
CC
或者
地
-6--
±
0.1 -
±
1-
±
1
µ
一个
安静的 设备
电流
I
CC
V
CC
或者
地
0 6 - - 2 - 20 - 40
µ
一个
hct 类型
输入 转变 点
(便条 2)
V
T
+ - - 4.5 1.2 - 1.9 1.2 1.9 1.2 1.9 V
5.5 1.4 - 2.1 1.4 2.1 1.4 2.1 V
V
T
- - - 4.5 0.5 - 1.2 0.5 1.2 0.5 1.2 V
5.5 0.6 - 1.4 0.6 1.4 0.6 1.4 V
V
H
- - 4.5 0.4 - 1.4 0.4 1.4 0.4 1.4 V
5.5 0.4 - 1.5 0.4 1.5 0.4 1.5 V
高 水平的 输出
电压
cmos 负载
-
V
T
+
或者
V
T
-
-0.02 4.5 4.4 - - 4.4 - 4.4 - V
高 水平的 输出
电压
ttl 负载
-4 4.5 3.98 - - 3.84 - 3.7 - V
低 水平的 输出
电压 cmos 负载
V
OL
V
T
+
或者
V
T
-
0.02 4.5 - - 0.1 - 0.1 - 0.1 V
低 水平的 输出
电压
ttl 负载
4 4.5 - - 0.26 - 0.33 - 0.4 V
输入 泄漏
电流
I
I
V
CC
和
地
- 5.5 - -
±
0.1 -
±
1-
±
1
µ
一个
安静的 设备
电流
I
CC
V
CC
或者
地
0 5.5 - - 2 - 20 - 40
µ
一个
额外的 安静的
设备 电流 每
输入 管脚: 1 单位 加载
∆
I
CC
(便条 3)
V
CC
- 2.1
- 4.5 至
5.5
- 100 360 - 450 - 490
µ
一个
注释:
2. hysteresis 定义, 典型的 和 测试 建制 看 测试 电路 和 波形
3. 为 双-供应 系统 theoretical worst 情况 (v
I
= 2.4v, v
CC
= 5.5v) 规格 是 1.8ma.
直流 电的 specifications
(持续)
参数 标识
测试
情况
V
CC
(v)
25
o
C -40
o
c 至 85
o
C -55
o
c 至 125
o
C
UNITSV
I
(v) I
O
(毫安) 最小值 典型值 最大值 最小值 最大值 最小值 最大值
cd54hc132, cd74hc132, cd54hct132, cd74hct132
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