cny75(g) 序列
Vishay
半导体
rev. a4, 11–jan–998 (12)
0.1
1.0
10.0
100.0
0.1 1.0 10.0 100.0
V
CE
– 集电级 发射级 电压 ( v )
96 11919
i – 集电级 电流 ( 毫安 )
C
20mA
10mA
5mA
2mA
1mA
I
F
=50mA
CNY75C
图示 14. 集电级 电流 vs. 集电级 发射级 电压
110
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
v – 集电级 发射级 饱和 电压 ( v )
CEsat
I
C
– 集电级 电流 ( 毫安 )
100
CTR=50%
20%
10%
95 11034
CNY75A
图示 15. coll. 发射级 sat. 电压 vs. coll. 电流
110
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
v – 集电级 发射级 饱和 电压 ( v )
CEsat
I
C
– 集电级 电流 ( 毫安 )
100
CTR=50%
20%
10%
95 11043
CNY75B
图示 16. coll. 发射级 sat. 电压 vs. coll. 电流
110
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
v – 集电级 发射级 饱和 电压 ( v )
CEsat
I
C
– 集电级 电流 ( 毫安 )
100
CTR=50%
20%
10%
95 11044
CNY75C
图示 17. coll. 发射级 sat. 电压 vs. coll. 电流
0.01 0.1 1 10
0
200
400
600
800
1000
h – 直流 电流 增益
FE
I
C
– 集电级 电流 ( 毫安 )
100
95 11035
V
CE
=5V
图示 18. 直流 电流 增益 vs. 集电级 电流
0.1 1 10
1
10
100
1000
ctr – 电流 转移 比率 ( % )
I
F
– 向前 电流 ( 毫安 )
100
95 11036
cny75a(g)
V
CE
=5V
图示 19. 电流 转移 比率 vs. 向前 电流
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