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文档 号码 83540
rev. 1.6, 26-oct-04
VISHAY
cny64/ cny65/ cny66
vishay 半导体
典型 characteristics (tamb = 25
°
c 除非 否则 指定)
图示 6. 总的 电源 消耗 vs. 包围的 温度
图示 7. 向前 电流 vs. 向前
V
oltage
图示 8. 相关的 电流 转移 比率 vs. 包围的
温度
025 5075
0
40
80
120
200
100
P –Total 电源 消耗 ( mW)
tot
T
amb
– 包围的 温度 (°c )
160
结合 设备
Phototransistor
ir-二极管
95 11003
0.1
1
10
100
1000
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0
V
F
- 向前 Voltage(v)
96 11862
F
I - 向前 电流 ( 毫安 )
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
1.4
1.5
–30–20–100 1020304050607080
T
amb
– 包围的 温度 ( °C )
96 11911
CTR – 相关的 电流 转移 比率
rel
V
CE
=5V
I
F
=10mA
图示 9. 集电级 dark 电流 vs. 包围的 温度
图示 10. 集电级 电流 vs. 向前 电流
图示 11. 集电级 电流 vs. 集电级 发射级
V
oltage
1
10
100
1000
0 102030405060708090100
T
amb
– 包围的 温度 (°c )
96 12000
I – 集电级 Dark 电流,
CEO
和 打开 根基 ( nA)
V
CE
=20V
I
F
=0
0.1 1 10
0.01
0.1
1
100
I – 集电级 电流 ( 毫安)
C
I
F
– 向前 电流 ( 毫安 )
100
95 11012
10
V
CE
=5V
0.1 1 10
0.1
1
10
100
V
CE
– 集电级 发射级 Voltage(v)
100
95 11013
I – 集电级 电流 ( 毫安 )
C
5mA
2mA
1mA
I
F
=50mA
10mA
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