n-频道 mos-场效应晶体管
2sk2272-01r
900V
2,8Ω
5A80W
fap-iia 序列
> 特性
典型 输出 特性流-源 在-状态 阻抗典型 转移 特性
↑
I
D
=f(v
DS
); 80µs 脉冲波 测试;T
C
=25°C
↑
R
ds(在)
= f(t
ch
); i
D
=5a; v
GS
=10V
↑
I
D
=f(v
GS
); 80µs 脉冲波 测试;V
DS
=25v; t
ch
=25°C
I
D
[A]
1
R
ds(在)
[
Ω
]
2
I
D
[A]
3
V
DS
[V]
→
T
ch
[°C]
→
V
GS
[V]
→
典型 流-源 在-状态-阻抗典型 向前 transconductance 门 门槛 电压 vs. t
ch
↑
R
ds(在)
=f(i
D
); 80µs 脉冲波 测试;T
C
=25°C
↑
g
fs
=f(i
D
); 80µs 脉冲波 测试;V
DS
=25v; t
ch
=25°C
↑
V
gs(th)
=f(t
ch
); i
D
=1ma; v
DS
=V
GS
R
ds(在)
[
Ω
]
4
g
fs
[S]
5
V
gs(th)
[V]
6
I
D
[A]
→
I
D
[A]
→
T
ch
[°C]
→
典型 capacitances典型 门 承担 特性向前 特性 的 反转 二极管
↑
c=f(v
DS
); v
GS
=0v; f=1mhz
↑
V
GS
=f(qg); i
D
=5A
↑↑
I
F
=f(v
SD
); 80µs 脉冲波 测试
c [nf]
7
V
DS
[V]
8
V
GS
[V]
I
F
[A]
9
V
DS
[V]
→
qg [nc]
→
V
SD
[V]
→
电源 消耗safe 运作 范围
P
D
=f(tc)I
D
=f(v
DS
): d=0,01, tc=25°c
↑
Z
th(ch-c)
[k/w]
瞬时 热的 阻抗
↑
10
↑
12
Z
thch-c
=f(t) 参数:d=t/t
P
D
[W]
I
D
[A]
T
ch
[°C]
→
V
DS
[V]
→
t [s]
→
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