CY62158CV33LL-70BAI_集成电路资料查询网

cy62158cv25/30/33
MoBL
™
文档 #: 38-05019 rev. *c 页 3 的 12
电的 特性
在 这 运行 范围
cy62158cv25-55 cy62158cv25-70
参数 描述 测试 情况 最小值 Typ.
[4]
最大值 最小值 Typ.
[4]
最大值 单位
V
OH
输出 高 电压 I
OH
=
–
0.1 毫安 V
CC
= 2.2v 2.0 2.0 V
V
OL
输出 低 电压 I
OL
= 0.1 毫安 V
CC
= 2.2v 0.4 0.4 V
V
IH
输入 高 电压 1.8 V
CC
+
0.3v
1.8 V
CC
+
0.3v
V
V
IL
输入 低 电压
–
0.3 0.6
–
0.3 0.6 V
I
IX
输入 泄漏 电流 地 <V
I
<V
CC
–
1 +1
–
1 +1
µ
一个
I
OZ
输出 泄漏
电流
地 <V
O
<V
CC
, 输出 无能
–
1 +1
–
1 +1
µ
一个
I
CC
V
CC
运行 供应
电流
f = f
最大值
= 1/t
RC
V
CC
= 2.7v
I
输出
= 0 毫安
cmos 水平
7 15 5.5 12 毫安
f = 1 mhz 1.5 3 1.5 3
I
SB1
自动 ce
电源-向下 电流
—
cmos 输入
CE
1
> v
CC
–
0.2v 或者 ce
2
<0.2v
V
在
> v
CC
–
0.2v 或者 v
在
<0.2v,
f = f
最大值
(地址 和 数据 仅有的),
f = 0 (oe
,我们)
6 25 6 25
µ
一个
I
SB2
自动 ce
电源-向下 电流
—
cmos 输入
CE
1
> v
CC
−
0.2v 或者 ce
2
<0.2v
V
在
> v
CC
−
0.2v 或者 v
在
<0.2v,
f = 0, v
CC
= 2.7v
cy62158cv30-55 cy62158cv30-70
参数 描述 测试 情况 最小值 典型值.
[4]
最大值 最小值 典型值.
[4]
最大值 单位
V
OH
输出 高 电压 I
OH
=
–
1.0 毫安 V
CC
= 2.7v 2.4 2.4 V
V
OL
输出 低 电压 I
OL
= 2.1 毫安 V
CC
= 2.7v 0.4 0.4 V
V
IH
输入 高 电压 2.2 V
CC
+
0.3v
2.2 V
CC
+
0.3v
V
V
IL
输入 低 电压
–
0.3 0.8
–
0.3 0.8 V
I
IX
输入 泄漏 电流 地 <V
I
<V
CC
–
1 +1
–
1 +1
µ
一个
I
OZ
输出 泄漏
电流
地 <V
O
<V
CC
, 输出 无能
–
1 +1
–
1 +1
µ
一个
I
CC
V
CC
运行 供应
电流
f = f
最大值
= 1/t
RC
V
CC
= 3.3v
I
输出
= 0 毫安
cmos 水平
7 15 5.5 12 毫安
f = 1 mhz 1.5 3 1.5 3
I
SB1
自动 ce
电源-向下 电流
—
cmos 输入
CE
1
>V
CC
–
0.2v 或者 ce
2
<0.2v
V
在
>V
CC
–
0.2v 或者 v
在
<0.2v,
f = f
最大值
(地址 和 数据 仅有的),
f = 0 (oe, 我们)
8 25 8 25
µ
一个
I
SB2
自动 ce
电源-向下 电流
—
cmos 输入
CE
1
>V
CC
−
0.2v 或者 ce
2
<0.2v
V
在
>V
CC
−
0.2v 或者 v
在
<0.2v,
f = 0,v
CC
= 3.3v

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cy62158cv25/30/33 MoBL ™ 文档 #: 38-05019 rev. *c 页 3 的 12 电的特性在这运行范围 cy62158cv25-55 cy62158cv25-70 参数描述测试情况最小值 Typ. [4] 最大值最小值 Typ. [4] 最大值单位 V OH 输出高电压 I OH = – 0.1 毫安 V CC = 2.2v 2.0 2.0 V V OL 输出低电压 I OL = 0.1 毫安 V CC = 2.2v 0.4 0.4 V V IH 输入高电压 1.8 V CC + 0.3v 1.8 V CC + 0.3v V V IL 输入低电压 – 0.3 0.6 – 0.3 0.6 V I IX 输入泄漏电流地 <V I <V CC – 1 +1 – 1 +1 µ 一个 I OZ 输出泄漏电流地 <V O <V CC , 输出无能 – 1 +1 – 1 +1 µ 一个 I CC V CC 运行供应电流 f = f 最大值 = 1/t RC V CC = 2.7v I 输出 = 0 毫安 cmos 水平 7 15 5.5 12 毫安 f = 1 mhz 1.5 3 1.5 3 I SB1 自动 ce 电源-向下电流 — cmos 输入 CE 1 > v CC – 0.2v 或者 ce 2 <0.2v V 在 > v CC – 0.2v 或者 v 在 <0.2v, f = f 最大值 (地址和数据仅有的), f = 0 (oe ,我们) 6 25 6 25 µ 一个 I SB2 自动 ce 电源-向下电流 — cmos 输入 CE 1 > v CC − 0.2v 或者 ce 2 <0.2v V 在 > v CC − 0.2v 或者 v 在 <0.2v, f = 0, v CC = 2.7v cy62158cv30-55 cy62158cv30-70 参数描述测试情况最小值典型值. [4] 最大值最小值典型值. [4] 最大值单位 V OH 输出高电压 I OH = – 1.0 毫安 V CC = 2.7v 2.4 2.4 V V OL 输出低电压 I OL = 2.1 毫安 V CC = 2.7v 0.4 0.4 V V IH 输入高电压 2.2 V CC + 0.3v 2.2 V CC + 0.3v V V IL 输入低电压 – 0.3 0.8 – 0.3 0.8 V I IX 输入泄漏电流地 <V I <V CC – 1 +1 – 1 +1 µ 一个 I OZ 输出泄漏电流地 <V O <V CC , 输出无能 – 1 +1 – 1 +1 µ 一个 I CC V CC 运行供应电流 f = f 最大值 = 1/t RC V CC = 3.3v I 输出 = 0 毫安 cmos 水平 7 15 5.5 12 毫安 f = 1 mhz 1.5 3 1.5 3 I SB1 自动 ce 电源-向下电流 — cmos 输入 CE 1 >V CC – 0.2v 或者 ce 2 <0.2v V 在 >V CC – 0.2v 或者 v 在 <0.2v, f = f 最大值 (地址和数据仅有的), f = 0 (oe, 我们) 8 25 8 25 µ 一个 I SB2 自动 ce 电源-向下电流 — cmos 输入 CE 1 >V CC − 0.2v 或者 ce 2 <0.2v V 在 >V CC − 0.2v 或者 v 在 <0.2v, f = 0,v CC = 3.3v

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