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资料编号:977516
 
资料名称:CY7C1019CV33-12ZC
 
文件大小: 193K
   
说明
 
介绍:
128K x 8 Static RAM
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
CY7C1019CV33
文档 #: 38-05130 rev. *d 页 4 的 8
切换 波形
读 循环 非. 1
[11, 12]
读 循环 非. 2 (oe控制)
[12, 13]
写 循环 非. 1 (ce控制)
[14, 15]
注释:
11. 设备 是 continuously 选择. oe
, ce= v
IL
.
12. 我们
是 高 为 读 循环.
13. 地址 有效的 较早的 至 或者 coincident 和 ce转变 低.
14. 数据 i/o 是 高 阻抗 如果 oe
= v
IH
.
15. 如果 ce
变得 高 同时发生地 和 我们going 高, 这 输出 仍然是 在 一个 高-阻抗 状态.
previous 数据 有效的 数据 有效的
t
RC
t
AA
t
OHA
地址
数据 输出
50%
50%
数据 有效的
t
RC
t
ACE
t
DOE
t
LZOE
t
LZCE
t
PU
高 阻抗
t
HZOE
t
HZCE
t
PD
OE
CE
ICC
ISB
阻抗
地址
数据 输出
V
CC
供应
电流
t
WC
数据 有效的
t
AW
t
SA
t
PWE
t
HA
t
HD
t
SD
t
SCE
t
SCE
CE
地址
我们
数据 i/o
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