64k x 16 静态的 内存
CY7C1021
Cypress 半导体 公司
• 3901 北 第一 街道 • San Jose • ca 95134 • 408-943-2600
文档 #: 38-05054 rev. ** 修订 8月 24, 2001
021
特性
• 高 速
—t
AA
= 12 ns
• cmos 为 最佳的 速/电源
• 低 起作用的 电源
— 1320 mw (最大值.)
• 自动 电源-向下 当 deselected
• 独立 控制 的 upper 和 更小的 位
• 有 在 44-管脚 tsop ii 和 400-mil soj
函数的 描述
这 cy7c1021 是 一个 高-效能 cmos 静态的 内存 或者-
ganized 作 65,536 words 用 16 位. 这个 设备 有 一个 自动-
matic 电源-向下 特性 那 significantly 减少 电源
消耗量 当 deselected.
writing 至 这 设备 是 accomplished 用 带去 碎片 使能
(ce
) 和 写 使能 (我们) 输入 低. 如果 字节 低 使能
(ble
) 是 低, 然后 数据 从 i/o 管脚 (i/o
1
通过 i/o
8
), 是
写 在 这 location 指定 在 这 地址 管脚 (一个
0
通过 一个
15
). 如果 字节 高 使能 (bhe) 是 低, 然后 数据
从 i/o 管脚 (i/o
9
通过 i/o
16
) 是 写 在 这 location
指定 在 这 地址 管脚 (一个
0
通过 一个
15
).
读 从 这 设备 是 accomplished 用 带去 碎片 en-
能 (ce
) 和 输出 使能 (oe) 低 当 forcing 这 写
使能 (我们) 高. 如果 字节 低 使能 (ble) 是 低, 然后
数据 从 这 记忆 location 指定 用 这 地址 管脚
将 呈现 在 i/o
1
至 i/o
8
. 如果 字节 高 使能 (bhe) 是 低,
然后 数据 从 记忆 将 呈现 在 i/o
9
至 i/o
16
. 看 这
真实 表格 在 这 后面的 的 这个 数据 薄板 为 一个 完全 descrip-
tion 的 读 和 写 模式.
这 输入/输出 管脚 (i/o
1
通过 i/o
16
) 是 放置 在 一个
高-阻抗 状态 当 这 设备 是 deselected (ce
高), 这 输出 是 无能 (oe高), 这 bhe和 ble
是 无能 (bhe, ble高), 或者 在 一个 写 运作 (ce
低, 和 我们低).
这 cy7c1021 是 有 在 标准 44-管脚 tsop 类型 ii
和 400-mil-宽 soj 包装.
我们
逻辑 块 图解
管脚 配置
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
14
31
32
36
35
34
33
37
40
39
38
顶 视图
soj / tsop ii
12
13
41
44
43
42
16
15
29
30
V
CC
一个
15
一个
14
一个
13
一个
12
NC
一个
4
一个
3
OE
V
SS
一个
5
i/o
16
一个
2
CE
i/o
3
i/o
1
i/o
2
BHE
NC
一个
1
一个
0
1021-2
18
17
20
19
i/o
4
27
28
25
26
22
21
23
24
NC
V
SS
i/o
7
i/o
5
i/o
6
i/o
8
一个
6
一个
7
BLE
V
CC
i/o
15
i/o
14
i/o
13
i/o
12
i/o
11
i/o
10
i/o
9
一个
8
一个
9
一个
10
一个
11
64k x 16
内存 排列
i/o
1
–
i/o
8
行 解码器
一个
7
一个
6
一个
5
一个
4
一个
3
一个
0
column 解码器
一个
9
一个
10
一个
11
一个
12
一个
13
一个
14
一个
15
512 x 2048
sense 放大器
数据 在 驱动器
OE
一个
2
一个
1
i/o
9
–
i/o
16
CE
我们
BLE
BHE
一个
8
选择 手册
7c1021-10 7c1021-12 7c1021-15 7c1021-20
最大 进入 时间 (ns) 10 12 15 20
最大 运行 电流 (毫安) 商业的 220 220 220 220
最大 cmos 备用物品 电流 (毫安) 商业的 5 5 5 5
L 0.5 0.5 0.5 0.5
shaded areas 包含 初步的 信息.
: 点此下载
