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资料编号:977851
 
资料名称:CY7C1061AV33-10ZC
 
文件大小: 270K
   
说明
 
介绍:
1M x 16 Static RAM
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
CY7C1061AV33
文档 #: 38-05256 rev. *d 页 6 的 11
注释:
12. 地址 有效的 较早的 至 或者 coincident 和 ce
1
转变 低 和 ce
2
转变 高.
13. 数据 i/o 是 高-阻抗 如果 oe
或者 bhe和/或者 ble= v
IH
.
14. 如果 ce
1
变得 高 同时发生地 和 我们going 高, 这 输出 仍然是 在 一个 高-阻抗 状态.
15. CE
是 一个 shorthand 结合体 的 两个都 ce
1
和 ce
2
联合的. 它 是 起作用的 低.
切换 波形
(持续)
循环
非. 2
(oe 控制)
50%
50%
数据 有效的
t
RC
t
ACE
t
DOE
t
LZOE
t
LZCE
t
PU
高 阻抗
t
HZOE
t
HZBE
t
PD
OE
CE
1
ICC
阻抗
地址
数据 输出
V
CC
供应
t
DBE
t
LZBE
t
HZCE
BHE, BLE
[11, 12]
电流
I
CC
I
SB
CE
2
循环 非. 1 (ce 控制)
t
HD
t
SD
t
SCE
t
SA
t
HA
t
AW
t
PWE
t
WC
BW
datai/o
地址
CE
我们
bhe, BLE
[13, 14, 15]
t
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