应用 便条:
(ref. 图. 7)
Modular 应用 (更多 设备 在 并行的)
这 使用 的 这 modular 应用 lets 非常 高
电源 是 delivered 至 非常 低 阻抗 负载.
这 modular 应用 implies 在e 设备 至 act
作 一个 主控 和 这 其他 作 slaves.
这 从动装置 电源 stages 是 驱动 用 这 主控
设备 和 工作 在 并行的 所有 together, 当 这
输入 和 这 增益 stages 的 这 从动装置 设备 是
无能, 这 图示 在下 显示 这 连接
必需的 至 配置 二 设备 至 工作 至-
gether.
这 主控 碎片 连接 是 这 一样 作
这 正常的 单独的 ones.
这 输出 能 是 连接 一起
和-
输出 这 需要 的 任何 ballast 阻抗.
这 从动装置 SGND 管脚 必须 是 系 至 这 nega-
tive 供应.
这 从动装置 st-用 管脚 必须 是 连接 至
st-用 管脚.
这 自举 线条 必须 是 连接 至-
gether 和 这 自举 电容 必须 是 在-
creased: 为 N 设备 这 boostrap 电容
必须 是 22
µ
F 时间 n.
这 从动装置 沉默的 和 在-管脚 必须 是 grounded.
这 自举 电容
为 兼容性 目的 和 这 previous de-
vices 的 这 家族, 这 boostrap 电容 能 是
连接 两个都 在 这 自举 管脚 (6) 和
这 输出 管脚 (14) 或者 在 这 boostrap 管脚
(6) 和 这 自举 loader 管脚 (12).
在- 2
R2
680
Ω
C2
22
µ
F
C1 470nF
IN+
R1 22K
3
R3 22K
-
+
沉默的
STBY
4
10
9
SGND
沉默的
STBY
R4 22K
热的
关闭
s/c
保护
R5 10K
C3 10
µ
F
C4 10
µ
F
1
stby-地
C5
47
µ
F
713
14
6
158
-vs -pwvs
自举
输出
+PWVs+Vs
C9 100nF C8 1000
µ
F
-vs
D97AU808C
+Vs
C7 100nF C6 1000
µ
F
缓存区
驱动器
11
激励
LOADER
12
在- 2
IN+ 3
-
+
沉默的
STBY
4
10
9
SGND
沉默的
热的
关闭
s/c
保护
1
stby-地
713
14
6
158
-vs -pwvs
自举
输出
+PWVs+Vs
C9 100nF C8 1000
µ
F
-vs
+Vs
C7 100nF C6 1000
µ
F
缓存区
驱动器
11
激励
LOADER
12
5
CLIP DET
5
主控
从动装置
C10
100nF
R7
2
Ω
VMUTE
VSTBY
STBY
图示 6:
Modular 应用 电路
TDA7296S
8/11
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