dg611/612/613
vishay siliconix
文档 号码: 70057
s-00399—rev. g, 13-sep-99
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4-5
r
ds(在)
– 流-源 在-阻抗 (
–4 –2 0 2 4 6 8 10 12–5
400
350
300
250
200
150
100
50
0
r
ds(在)
vs. v
D
和 电源 供应 电压
V
D
– 流 电压 (v)
v+ = 5 v
v– = –5 v
v+ = 12 v
v– = –5 v
v+ = 15 v
v– = –3 v
I
S
= –1 毫安
r
ds(在)
– 流-源 在-阻抗 (
–4–2024681012
400
350
300
250
200
150
100
50
0
r
ds(在)
vs. v
D
和 温度
V
D
– 流 电压 (v)
25
C
v+ = 15 v
v– = –3 v
I
S
= –1 毫安
125
C
–55
C
–4 –2 0 2 4 6 8 10
3
2
1
0
–1
–2
–3
– 泄漏 电流 (pa)
, i
D
V
D
或者 v
S
– 流 或者 源 电压 (v)
I
s(止),
I
d(止)
I
d(在)
v+ = 15 v
v– = –3 v
泄漏 电流 vs. 相似物 电压
I
S
–55 0 125
泄漏 电流 vs. 温度
温度 (
c)
–25 25 50 75 100
10 na
0.1 pa
100 pa
10 pa
1 pa
I
s(止),
I
d(止)
I
d(在)
1 na
– 泄漏 (一个)i
, i
s(止) d(止)
0 5 10 15
6
5
4
3
2
1
0
输入 切换 门槛 vs. v
L
V
L
– 逻辑 供应 电压 (v)
v+ = 15 v
v– = –3 v
V
TH
– 逻辑 输入 电压 (v)
16
14
12
10
8
6
4
2
0
24
22
20
18
–55 –35 –15 5 25 45 65 85 105 125
v+ = 15 v
v– = –3 v
R
L
= 300
C
L
= 10 pf
切换 时间 vs. 温度
t
在
t
止
时间 (ns)
温度 (
c)
)
)
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