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资料编号:979603
 
资料名称:DS1225Y-150
 
文件大小: 80K
   
说明
 
介绍:
64K Nonvolatile SRAM
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
DS1225Y
021998 6/8
power–down/power–up 情况
3.2v
数据 保持 时间
CE
V
CC
t
F
t
PD
t
R
t
REC
t
DR
泄漏 电流
I
L
有提供的 从
lithium cell
V
TP
看 便条 11
power–down/power–up 定时
参数 SYM 最小值 最大值 单位 注释
CE在 v
IH
在之前 power–down t
PD
0
µ
s 11
V
CC
回转 从 v
TP
IH
之后 power–up t
REC
2 ms
(t
一个
= 25
°
c)
参数 SYM 最小值 最大值 单位 注释
预期的 数据 保持 时间 t
DR
10 9
警告:
下面 非 circumstance 是 负的 undershoots, 的 任何 振幅, 允许 当 设备 是 在 电池 backup 模式.
注释:
1. 我们
= v
IH
或者 v
IL
. 如果 oe= v
IH
在 一个 写 循环, 这 输出 缓存区 仍然是 在 一个 高 阻抗 状态.
3. t
WP
是 指定 作 这 logical 和 的 ce和 我们. t
WP
是 量过的 从 这 latter 的 ce或者 我们going 低 至 这
早期 的 ce
或者 我们going 高.
4. t
DS
是 量过的 从 这 早期 的 ce或者 我们going 高.
5. 这些 参数 是 抽样 和 一个 5 pf 加载 和 是 不 100% 测试.
6. 如果 这 ce
低 转变 occurs 同时发生地 和 或者 后来的 比 这 我们低 转变 在 写 循环 1, 这 输出
缓存区 仍然是 在 一个 高 阻抗 状态 在 这个 时期.
7. 如果 这 ce
高 转变 occurs 较早的 至 或者 同时发生地 和 这 我们高 转变, 这 输出 缓存区 仍然是
在 一个 高 阻抗 状态 在 这个 时期.
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