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资料编号:979606
 
资料名称:DS1225Y-200-IND
 
文件大小: 80K
   
说明
 
介绍:
64K Nonvolatile SRAM
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
DS1225Y
021998 3/8
绝对 最大 ratings*
电压 在 任何 管脚 相关的 至 地面 –0.3v 至 +7.0v
运行 温度 0
°
c 至 70
°
c; –40
°
c 至 +85
°
c 为 ind 部分
存储 温度 –40
°
c 至 +70
°
c; –40
°
c 至 +85
°
c 为 ind 部分
焊接 温度 260
°
* 这个 是 一个 压力 比率 仅有的 和 函数的 运作 的 这 设备 在 这些 或者 任何 其它 情况 在之上 那些
表明 在 这 运作 sections 的 这个 规格 是 不 暗指. 暴露 至 绝对 最大 比率
情况 为 扩展 时期 的 时间 将 影响 可靠性.
推荐 直流 运行 情况
(t
一个
: 看 便条 10)
参数 SYM 最小值 典型值 最大值 单位 注释
电源 供应 电压 V
CC
4.5 5.0 5.5 V
输入 逻辑 1 V
IH
2.2 V
CC
V
输入 逻辑 0 V
IL
0.0 +0.8 V
直流 电的 特性
(t
一个
: 看 便条 10; v
CC
= 5v
±
10%)
参数 标识 最小值 典型值 最大值 单位 注释
输入 泄漏 电流 I
IL
–1.0 +1.0
µ
一个
i/o 泄漏 电流
CE
>V
IH
<V
CC
I
IO
–1.0 +1.0
µ
一个
输出 电流 @ 2.4v I
OH
–1.0 毫安
输出 电流 @ 0.4v I
OL
2.0 毫安
备用物品 电流 ce= 2.2v I
CCS1
5 10 毫安
备用物品 电流 ce= v
CC
–0.5v I
CCS2
3 5 毫安
运行 电流 t
CYC
=200 ns
(商业的)
I
CCO1
75 毫安
运行 电流 t
CYC
=200 ns
(工业的)
I
CCO1
85 毫安
写 保护 电压 V
TP
4.25 V 10
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