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资料编号:979667
 
资料名称:DS1345YP-100
 
文件大小: 211K
   
说明
 
介绍:
1024k Nonvolatile SRAM with Battery Monitor
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
ds1345y/ab
8 的 12
电源-向下/电源-向上 定时
(t
一个
: 看 便条 10)
参数 标识 最小值 典型值 最大值 单位 注释
V
CC
失败 发现 至
CE
我们
Inactive
t
PD
1.5
µ
s
11
V
CC
回转 从 v
TP
至 0v t
F
150
µ
s
V
CC
失败 发现 至
RST
起作用的
t
RPD
15
µ
s
14
V
CC
回转 从 0v 至 v
TP
t
R
150
µ
s
V
CC
有效的 至
CE
我们
Inactive
t
PU
2ms
V
CC
有效的 至 终止 的 写 保护 t
REC
125 ms
V
CC
有效的 至
RST
Inactive
t
RPU
150 200 350 ms 14
V
CC
有效的 至
BW
有效的
t
BPU
1s14
电池 警告 定时
(t
一个
: 看 便条 10)
参数 标识 最小值 典型值 最大值 单位 注释
电池 测试 循环 t
BTC
24 hr
电池 测试 脉冲波 宽度 t
BTPW
1s
电池 测试 至
BW
起作用的
t
BW
1s
(t
一个
=25
°
c)
参数 标识 最小值 典型值 最大值 单位 注释
DR
10 9
警告:
下面 非 circumstance 是 负的 undershoots, 的 任何 振幅, 允许 当 设备 是 在 电池
backup 模式.
注释:
1.
我们
是 高 为 一个 读 循环.
2.
OE
= v
IH
或者 v
IL
. 如果
OE
= v
IH
在 写 循环, 这 输出 缓存区 仍然是 在 一个 高-阻抗 状态.
3.
t
WP
是 指定 作 这 logical 和 的
CE
我们
. t
WP
是 量过的 从 这 latter 的
CE
或者
我们
going 低 至 这 早期 的
CE
或者
我们
going 高.
4.
t
DS
是 量过的 从 这 早期 的
CE
或者
我们
going 高.
5.
这些 参数 是 抽样 和 一个 5 pf 加载 和 是 不 100% 测试.
6.
如果 这
CE
低 转变 occurs 同时发生地 和 或者 latter 比 这
我们
低 转变, 这 输出
7.
如果 这
CE
高 转变 occurs 较早的 至 或者 同时发生地 和 这
我们
高 转变, 这 输出
缓存区 仍然是 在 高-阻抗 状态 在 这个 时期.
8.
如果
我们
是 低 或者 这
我们
低 转变 occurs 较早的 至 或者 同时发生地 和 这
CE
低 转变,
这 输出 缓存区 仍然是 在 一个 高 阻抗 状态 在 这个 时期.
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