ds1486/ds1486p
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注释:
1.
我们
是 高 为 一个 读 循环.
2.
OE
= v
IH
或者 v
IL
. 如果
OE
= v
IH
在 写 循环, 这 输出 缓存区 仍然是 在 一个 高 阻抗 状态.
3.
t
WP
是 指定 作 这 logical 和 的 这
CE
和
我们
. t
WP
是 量过的 从 这 latter 的
CE
或者
我们
going 低 至 这 早期 的
CE
或者
我们
going 高.
4.
t
DS
或者 t
DH
是 量过的 从 这 早期 的
CE
或者
我们
going 高.
5.
t
DH
是 量过的 从
我们
going 高. 如果
CE
是 使用 至 terminate 这 写 循环, 然后 t
DH
= 20 ns 为
-120 部分 和 t
DH
= -25 ns 为 -150 部分.
6.
如果 这
CE
低 转变 occurs 同时发生地 和 或者 后来的 比 这
我们
低 转变 在 写 循环
1, 这 输出 缓存区 仍然是 在 一个 高 阻抗 状态 在 这个 时期.
7.
如果 这
CE
高 转变 occurs 较早的 至 或者 同时发生地 和 这
我们
高 转变, 这 输出
缓存区 仍然是 在 一个 高 阻抗 状态 在 这个 时期.
8.
如果
我们
是 低 或者 这
我们
低 转变 occurs 较早的 至 或者 同时发生地 和 这
CE
低 转变,
这 输出 缓存区 仍然是 在 一个 高 阻抗 状态 在 这个 时期.
9.
各自 ds1486 是 marked 和 一个 四-数字 日期 代号aabb. aa designates 这 年 的 制造.
bb designates 这 week 的 制造. 这 预期的 t
DR
是 定义 为 插件 modules 作 开始 在
这 日期 的 制造.
10.
所有 电压 是 关联 至 地面.
11.
应用 至 两个都 中断 管脚 当 这 alarms 是 设置 至 脉冲波.
12.
中断 输出 occurs 在里面 100 ns 在 这 alarm 情况 存在.
13.
两个都
INTA
和
INTB
(intb) 是 打开 流 输出.
14.
real-时间 时钟 modules (插件) 能 是 successfully processed 通过 常规的 波-焊接
tech-niques 作 长 作 温度 暴露 至 这 lithium 活力 源 包含 在里面 做 不
超过 +85
c. 邮递-焊盘 cleaning 和 water washing 技巧 是 可接受的, 提供 那
超声的 震动 是 不 使用.
在 增加, 为 这 powercap 版本:
一个.
达拉斯市 半导体 recommends 那 powercap 单元 根基 experience 一个 通过 通过
焊盘 软熔焊接 朝向 和这 label 一侧 向上 (“live - bug”).
b.
hand 焊接 和 touch-向上: 做 不 touch 或者 一个pply 这 焊接 iron 至 leads 为 更多 比
3 秒. 至 焊盘, 应用 通量 至 这 垫子,热温 这 含铅的 框架 垫子 和 应用 焊盘. 至
除去 这 部分, 应用 通量, 热温 这 含铅的 框架 垫子 直到 这 焊盘 reflows 和 使用 一个 焊盘
wick 至 除去 焊盘.
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