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资料编号:979802
 
资料名称:DTC144EET1
 
文件大小: 102K
   
说明
 
介绍:
Bias Resistor Transistor
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
dtc114eet1 序列
http://onsemi.com
9
最小 推荐 footprints 为 表面 挂载 产品
表面 挂载 板 布局 是 一个 核心的 portion 的 这
总的 设计. 这 footprint 为 这 半导体 包装
必须 是 这 准确无误的 大小 至 insure 恰当的 焊盘 连接
接口 在 这 板 和 这 包装. 和 这
准确无误的 垫子 geometry, 这 包装 将 自 排整齐 当
subjected 至 一个 焊盘 软熔焊接 处理.
ÉÉÉ
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ÉÉÉ
ÉÉÉ
ÉÉÉ
ÉÉÉ
1.4
1
0.5 最小值 (3x)
0.5 最小值 (3x)
典型
0.5
焊接 模式
单位: mm
sot–416/sc–75 电源 消耗
这 电源 消耗 的 这 sot–416/sc–75 是 一个
函数 的 这 垫子 大小. 这个 能 相异 从 这 最小
垫子 大小 为 焊接 至 这 垫子 大小 给 为 最大
电源 消耗. 电源 消耗 为 一个 表面 挂载
设备 是 决定 用 t
j(最大值)
, 这 最大 评估
接合面 温度 的 这 消逝, r
θ
JA
, 这 热的
阻抗 从 这 设备 接合面 至 包围的; 和 这
运行 温度, t
一个
. 使用 这 值 提供 在
这 数据 薄板, p
D
能 是 计算 作 跟随:
P
D
=
T
j(最大值)
– t
一个
R
θ
JA
这 值 为 这 等式 是 建立 在 这 最大
比率 表格 在 这 数据 薄板. substituting 这些 值
在 这 等式 为 一个 包围的 温度 t
一个
的 25
°
c,
一个 能 计算 这 电源 消耗 的 这 设备 这个
在 这个 情况 是 200 毫瓦.
P
D
=
150
°
c – 25
°
C
= 200 毫瓦
600
°
c/w
这 600
°
c/w 假设 这 使用 的 这 推荐
footprint 在 一个 glass 环氧的 打印 电路 板 至 达到 一个
电源 消耗 的 200 毫瓦. 另一 alternative
将 是 至 使用 一个 陶瓷的 基质 或者 一个 铝 核心
板 此类 作 热的 clad
. 使用 一个 板 材料 此类
作 热的 clad, 一个 高等级的 电源 消耗 能 是
达到 使用 这 一样 footprint.
焊接 预防措施
这 melting 温度 的 焊盘 是 高等级的 比 这 评估
温度 的 这 设备. 当 这 全部 设备 是 heated
至 一个 高 温度, 失败 至 完全 焊接 在里面
一个 短的 时间 可以 结果 在 设备 失败. 因此, 这
下列的 items 应当 总是 是 observed 在 顺序 至
降低 这 热的 压力 至 这个 这 设备 是
subjected.
总是 preheat 这 设备.
这 delta 温度 在 这 preheat 和
焊接 应当 是 100
°
c 或者 较少.*
当 preheating 和 焊接, 这 温度 的 这
leads 和 这 情况 必须 不 超过 这 最大
温度 比率 作 显示 在 这 数据 薄板. 当
使用 infrared 加热 和 这 软熔焊接 焊接
方法, 这 区别 应当 是 一个 最大 的 10
°
c.
这 焊接 温度 和 时间 应当 不 超过
260
°
c 为 更多 比 10 秒.
当 shifting 从 preheating 至 焊接, 这
最大 温度 gradient 应当 是 5
°
c 或者 较少.
之后 焊接 有 被 完成, 这 设备 应当
是 允许 至 cool naturally 为 在 least 三 分钟.
gradual 冷却 应当 是 使用 作 这 使用 的 强迫
冷却 将 增加 这 温度 gradient 和
结果 在 latent 失败 预定的 至 机械的 压力.
机械的 压力 或者 shock 应当 不 是 应用
在 冷却.
* 焊接 一个 设备 没有 preheating 能 导致
过度的 热的 shock 和 压力 这个 能 结果 在
损坏 至 这 设备.
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