绝对 最大 比率
(便条 1)
如果 军队/太空 指定 设备 是 必需的,
请 联系 这 国家的 半导体 销售 办公室/
分发 为 有效性 和 规格.
供应 电压 (v
CC
) −0.5v 至 +7V
使能 输入 电压 (en, en*) −0.5v 至 V
CC
+ 0.5v
驱动器 输入 电压 (di) −0.5v 至 V
CC
+ 0.5v
Clamp 二极管 电流
±
20 毫安
直流 输出 电流, 每 管脚
±
150 毫安
驱动器 输出 电压
(电源 止: do+, do−) −0.5v 至 +7V
最大 包装 电源 Dissipaton +25˚C
M 包装 1226 mW
W 包装 1119 mW
减额 M 包装 9.8 mw/˚c 在之上 +25˚C
减额 W 包装 7.5 mw/˚c 在之上 +25˚C
存储 温度 范围 −65˚C 至 +150˚C
含铅的 温度 范围
焊接
(4 秒.) +260˚C
静电释放 比率 (hbm, 1.5 k
Ω
, 100
pf)
驱动器 输出
≥
7kV
其它 管脚
≥
2.5 kV
推荐 运行
情况
最小值 典型值 最大值 单位
供应 电压 (v
CC
) 3.0 3.3 3.6 V
运行 自由 空气 温度 范围 (t
一个
)
DS26LV31T −40 +25 +85 ˚C
DS26LV31W −55 +25 +125 ˚C
输入 上升 和 下降 时间 500 ns
电的 特性
(便条 2) (便条 3)
在 供应 电压 和 运行 温度 范围, 除非 否则 指定
标识 参数 情况 管脚 最小值 典型值 最大值 单位
V
OD1
输出 差别的 电压 R
L
=
∞
(非 加载) do+, 3.3 4 V
V
OD2
输出 差别的 电压 R
L
= 100
Ω
(
图示 1
) DO− 2 2.6 V
∆
V
OD2
改变 在 巨大 的 I
O
≥
20 毫安 −400 7 400 mV
输出 差别的 电压
V
OD3
输出 差别的 电压 R
L
= 3900
Ω
(v.11)
图示 1
(便条 7)
3.2 3.6 V
V
OC
一般 模式 电压 R
L
= 100
Ω
(
图示 1
) 1.5 2 V
∆
V
OC
改变 在 巨大 的 −400 6 400 mV
一般 模式 电压
I
OZ
触发-状态 泄漏 V
输出
=V
CC
或者 地
±
0.5
±
20 µA
电流 驱动器 无能
I
SC
输出 短的 电路 Currrent V
输出
=0V
V
在
=V
CC
或者
地 (便条 4)
T
一个
= -40˚c 至
+85˚C
−40 −70 −150 毫安
T
一个
= -55˚c 至
+125˚C (便条
10)
-30 -160 毫安
I
止
输出 泄漏 电流 V
CC
= 0v, V
输出
= 3V 或者 6V 0.03 100 µA
V
CC
= 0v, V
输出
= −0.25v
T
一个
= -40˚c 至
+85˚C
−0.08 −100 µA
T
一个
= -55˚c 至
+125˚C
-200 µA
V
IH
高 水平的 输入 电压 di, 2.0 V
CC
V
V
IL
低 水平的 输入 电压 en, 地 0.8 V
I
IH
高 水平的 输入 电流 V
在
=V
CC
EN* 10 µA
I
IL
低 水平的 输入 电流 V
在
= 地 −10 µA
V
CL
输入 Clamp 电压 I
在
= −18 毫安 −1.5 V
I
CC
电源 供应 电流 非 加载, V
在
(所有) = V
CC
或者
地
T
一个
= -40˚c 至
+85˚C
V
CC
100 µA
T
一个
= -55˚c 至
+125˚C
125 µA
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