绝对 最大 比率
(便条 1)
如果 军队/太空 指定 设备 是 必需的,
请 联系 这 国家的 半导体 销售 办公室/
分发 为 有效性 和 规格.
供应 电压 (v
CC
) −0.3v 至 +4V
cmos/ttl 输入 电压 −0.3v 至 (v
CC
+ 0.3v)
cmos/ttl 输出 电压 −0.3v 至 (v
CC
+ 0.3v)
LVDS 接受者 输入 电压 −0.3v 至 (v
CC
+ 0.3v)
LVDS 驱动器 输出 电压 −0.3v 至 (v
CC
+ 0.3v)
LVDS 输出 短的 电路
持续时间 持续的
接合面 温度 +150˚C
存储 温度 −65˚C 至 +150˚C
含铅的 温度
(焊接, 4 秒) +260˚C
最大 包装 电源 消耗 Capacity 25˚C
MTD48 (tssop) 包装:
DS90C363 1.98 W
DS90CF364 1.89 W
包装 减额:
DS90C363 16 mw/˚c 在之上 +25˚C
DS90CF364 15 mw/˚c 在之上 +25˚C
静电释放 比率
(hbm, 1.5 k
Ω
, 100 pf)
>
7kV
推荐 运行
情况
最小值 Nom 最大值 单位
供应 电压 (v
CC
) 3.0 3.3 3.6 V
运行 自由 空气
温度 (t
一个
) −40 +25 +85 ˚C
接受者 输入 范围 0 2.4 V
供应 噪音 电压 (v
CC
) 100 mV
PP
电的 特性
在 推荐 运行 供应 和 温度 范围 除非 否则 指定.
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
cmos/ttl 直流 规格
V
IH
高 水平的 输入 电压 2.0 V
CC
V
V
IL
低 水平的 输入 电压 地 0.8 V
V
OH
高 水平的 输出 电压 I
OH
= −0.4 毫安 2.7 3.3 V
V
OL
低 水平的 输出 电压 I
OL
= 2 毫安 0.06 0.3 V
V
CL
输入 Clamp 电压 I
CL
= −18 毫安 −0.79 −1.5 V
I
在
输入 电流 V
在
=V
CC
, 地, 2.5v 或者 0.4v
±
5.1
±
10 µA
I
OS
输出 短的 电路 电流 V
输出
= 0V −60 −120 毫安
LVDS 直流 规格
V
OD
差别的 输出 电压 R
L
= 100
Ω
250 345 450 mV
∆
V
OD
改变 在 V
OD
在 35 mV
complimentary 输出 states
V
OS
补偿 电压 (便条 4) 1.125 1.25 1.375 V
∆
V
OS
改变 在 V
OS
在 35 mV
complimentary 输出 states
I
OS
输出 短的 电路 电流 V
输出
= 0v, R
L
= 100
Ω
−3.5 −5 毫安
I
OZ
输出 触发-状态
®
电流 PWR DWN = 0v,
±
1
±
10 µA
V
输出
=0VorV
CC
V
TH
差别的 输入 高 门槛 V
CM
= +1.2v +100 mV
V
TL
差别的 输入 低 门槛 −100 mV
I
在
输入 电流 V
在
= +2.4v, V
CC
= 3.6v
±
10 µA
V
在
= 0v, V
CC
= 3.6v
±
10 µA
传输者 供应 电流
ICCTW 传输者 供应 电流, Worst
情况
R
L
= 100
Ω
,
C
L
= 5 pf, Worst
情况 模式
(计算数量
1, 3
)
,t
一个
= −40˚C 至
+85˚C
f = 32.5 MHz 31 45 毫安
f = 37.5 MHz 32 50 毫安
f = 65 MHz 42 55 毫安
ICCTG 传输者 供应 电流, 16
Grayscale
R
L
= 100
Ω
,
C
L
= 5 pf, 16
Grayscale 模式
(计算数量 2, 3 )
,t
一个
=
−40˚C 至 +85˚C
f = 32.5 MHz 23 35 毫安
f = 37.5 MHz 28 40 毫安
f = 65 MHz 31 45 毫安
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