二月 2004
2004 仙童 半导体 公司
fds7079zn3 rev c1 (w)
FDS7079ZN3
30 volt p-频道 powertrench
场效应晶体管
一般 描述
先进的 p 频道 场效应晶体管 联合的 和
先进的 so8 flmp 包装供应 一个 设备 和
极其 低 热的 阻抗 和 改进
电的 效能.
产品 为 这个 设备 包含 multi-cell 电池
保护 和 charging, 在cluding 保护 和 加载
切换 在 notebook 计算机 和 notebook 电池
packs.
特性
•
–16 一个, –30 v. R
ds(在)
= 7.5 m
Ω
@ v
GS
= –10 v
R
ds(在)
= 11.5 m
Ω
@ v
GS
= – 4.5 v
•
静电释放 保护 二极管 (便条 3)
•
静电释放 比率: 4kv
•
高 效能 trench 技术 为 极其
低 r
ds(在)
•
flmp 所以-8 包装 为 增强 热的
效能 在 工业-标准 包装 大小
S
D
S
S
所以-
D
D
D
G
NC
S
S
S
G
D
管脚 1
flmp 所以-8
NC
NC
NC
45
36
27
18
绝对 最大 比率
T
一个
=25
o
c 除非 否则 指出
标识 参数 比率 单位
V
DSS
流-源 电压 –30 V
V
GSS
门-源 电压 ±25 V
I
D
流 电流 – 持续的
(便条 1a)
–16 一个
– 搏动 –60
电源 消耗 为 单独的 运作
(便条 1a)
3.13P
D
(便条 1b)
1.5
W
T
J
, t
STG
运行 和 存储 接合面 温度 范围 –55 至 +150
°
C
热的 特性
R
θ
JA
热的 阻抗, 接合面-至-包围的
(便条 1a)
40
°
c/w
R
θ
JC
热的 阻抗, 接合面-至-情况
(便条 1)
0.5
包装 标记 和 订货 信息
设备 标记 设备 卷轴 大小 录音带 宽度 Quantity
FDS7079ZN3 FDS7079ZN3 13’’ 12mm 2500 单位
FDS7079ZN3
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