这个 文档 包含 信息 在 一个 新 产品.
规格 和 信息 是 主题 至 改变 没有 注意
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将 2002
这 communications edge
TM
初步的 产品 信息
FP2189
1 watt hfet
外形 绘画 地带 模式 挂载 配置
R6
8.2 k
Ω
vdd = +8 v
vgg = -4 v
UMT1N
6
1
5
2
4
3
连接 至 v
dd
在 app 电路
连接 至 v
gg
在 app 电路
R5
8.2 k
Ω
R3
220
Ω
R4
1
Ω
1%
0805
应用 便条
特定的 注意 应当 是 带去 至 合适的 偏差 这 fp2189. 电源 供应 sequencing
是 必需的 至 阻止 这 设备 从 运行 在 100% i
dss
为 一个 prolonged 时期 of
时间 和 possibly 造成 损坏 至 这 设备. 它 是 推荐 那 为 这 safest
运作, 这 负的 供应 是 “first 在 和 last 止.” 和 一个 负的 门 电压
呈现, 这 流 电压 能 然后 是 应用 至 这 设备. 这 门 电压 能 然后
是 调整 至 有 这 设备 是 使用 在 这 恰当的 安静的 偏差 情况.
一个 optional 温度-补偿 起作用的-偏差 电路 是 推荐 为 使用 with
这 应用 电路, 这个 需要 二 标准 电压 供应 +8v 和 -4v, 一个
d
是 设置 为 一个 最优的 流 偏差 的 +8v @ 250 毫安. 这 电路 图式, 显示 在 这
正确的, 使用 双 pnp 晶体管 至 提供 一个 常量 流 电流 在 这 fp2189 一个
d
也 排除 这 影响 的 pinchoff 变化. 温度 补偿 是 达到
用 追踪 这 电压 变化 和 这 温度 的 这 发射级-至-根基 接合面 o
f
这 pnp 晶体管. 因此 这 晶体管 发射级 电压 adjusts 这 电压 incident 在
这 门 的 这 fp2189 所以 那 这 设备 牵引 一个 常量 电流, regardless 的 这
温度. 二 fixed 电压 供应 是 需要 为 运作. 一个 rohm 双
晶体管, umt1n, 和 一个 双-碎片 电阻 (8.2 k
Ω
) 是 推荐 至 降低
板 空间 和 帮助 decrease 这 电流 variability 通过 r4 和 这 组件
正在 matched 至 一个 另一. 这 起作用的-偏差 电路 能 直接地 是 连结 至 这
电压 供应 端口 在 这 电路 图解 作 显示 在之上 (v
dd
和 v
gg
).
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