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资料编号:982137
 
资料名称:FYP2010DN
 
文件大小: 45K
   
说明
 
介绍:
SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER
 
 


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©2002 仙童 半导体 公司 rev. 一个, 九月 2002
FYP2010DN
典型 特性
图示 1. 典型 向前 电压 特性
(每 二极管)
图示 3. 典型 接合面 电容
(每 二极管)
图示 5. 向前 电流 减额 曲线
图示 2. 典型 反转 电流
vs. 反转 电压 (每 二极管)
图示 4. 热的 阻抗 特性
(每 二极管)
图示 6. 非-repetive surge 电流
(每 二极管)
0.01
0.1
1
10
100
0.0 0.5 1.0 1.5
T
J
=125
o
C
T
J
=75
o
C
T
J
=25
o
C
向前 电压 漏出, v
F
[V]
向前 电流, i
F
[A]
0 20406080100
80
90
100
200
300
400
500
600
700
800
900
1000
T
J
=25
o
C
juntion 电容, c
J
[pF]
反转 电压, v
R
[V]
0 20 40 60 80 100 120 140 160
0
5
10
15
20
25
直流
平均 向前 电流, i
f(av)
[A]
情况 温度, t
C
[
o
C]
20 40 60 80 100
1e-3
0.01
0.1
1
10
T
J
=125
o
C
T
J
=75
o
C
T
J
=25
o
C
反转 电流, i
R
[mA]
反转 电压, v
R
[V]
100µ 1m 10m 100m 1 10
1
10
瞬时 热的 阻抗 [
o
c/w]
脉冲波 持续时间 [s]
1 10 100
0
50
100
150
200
250
最大值 向前 surge 电流, i
FSM
[A]
号码 的 循环 @ 60hz
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