首页 | 最新需求 | 最新现货 | IC库存 | 供应商 | IC英文资料库 | IC中文资料库 | IC价格 | 电路图 | 应用资料 | 技术资料
 IC型号:
您现在的位置:首页 >  IC英文资料库 进入手机版 
 
资料编号:982140
 
资料名称:FZT953
 
文件大小: 124K
   
说明
 
介绍:
SOT223 PNP SILICON PLANAR HIGH CURRENT (HIGH PERFORMANCE) TRANSISTORS
 
 


: 点此下载
  浏览型号FZT953的Datasheet PDF文件第1页
1
浏览型号FZT953的Datasheet PDF文件第2页
2

3
浏览型号FZT953的Datasheet PDF文件第4页
4
浏览型号FZT953的Datasheet PDF文件第5页
5
 
本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
3 - 280 3 - 281
-55°c
+25°C
+100°C
+175°C
+100°C
+25°C
-55°c
0.01 0.1 20110
1.0
0.8
0.6
0.4
0
0.2
1.6
1.4
1.2
0.01 0.1 20110
1.0
0.8
0.6
0.4
0
0.2
1.6
1.4
1.2
0.01 0.1 20110
1.0
0.8
0.6
0.4
0
0.2
1.6
1.4
1.2
0.01 0.1 20110
0
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
1.6
1.4
1.2
0.01 0.1 20
1
10
1.0
0.8
0.6
0.4
0
0.2
1.6
1.4
1.2
典型 特性
V
ce(sat)
v i
C
I
C
-
集电级 电流 (放大器)
V
C
E
(s
)
- (v
olts)
T
amb
=25°C
V
ce(sat)
v i
C
I
C
-
集电级 电流 (放大器)
V
CE
(
s
)
- (v
olts)
-55°c
+25°C
+175°C
-55°c
+25°C
+100°C
+175°C
I
C
-
集电级 电流 (放大器)
I
C
-
集电级 电流 (放大器)
h
FE
v i
C
V
是(sat)
v i
C
I
C
-
集电级 电流 (放大器)
V
是(在)
v i
C
h
F
E
- normalised
G
一个
V
B
E
(s
)
- (v
olts)
V
B
E
- (v
olts)
I
C
- colle
c
tor curre
n
t (
一个
mps)
I
C
/i
B
=10
I
C
/i
B
=10
I
C
/i
B
=50
I
C
/i
B
=10V
CE
=1V
V
CE
=1V
300
200
100
h
FE
-
T
y
p
i
c
一个
l
G
一个
i
n
V
CE
-
集电级 电压 (伏特)
safe 运行 范围
0.1 100110
0.1
1
10
100
单独的 脉冲波 测试 在 t
amb
=25°C
d.c.
1s
100ms
10ms
1.0ms
0.1ms
0.001
0.001
0.001
0.0010.001
FZT951
FZT951
电的 特性 (在 t
amb
= 25°c 除非 否则 陈述)
参数 标识 最小值 典型值 最大值 单位 情况.
集电级-根基 损坏
电压
V
(br)cbo
-100 -140 V
I
C
=-100
一个
集电级-发射级 损坏
电压
V
(br)cer
-100 -140 V
I
C
=-1
一个, rb

1k
集电级-发射级 损坏
电压
V
(br)ceo
-60 -90 V I
C
=-10ma*
发射级-根基 损坏
电压
V
(br)ebo
-6 -8 V
I
E
=-100
一个
集电级 截-止 电流 I
CBO
-50
-1
nA
一个
V
CB
=-80v
V
CB
=-80v, t
amb
=100°C
集电级 截-止 电流 I
CER
R
1k
-50
-1
nA
一个
V
CB
=-80v
V
CB
=-80v, t
amb
=100°C
发射级 截-止 电流 I
EBO
-10 nA V
EB
=-6v
集电级-发射级 饱和
电压
V
ce(sat)
-20
-85
-155
-370
-50
-140
-210
-460
mV
mV
mV
mV
I
C
=-100ma, i
B
=-10ma*
I
C
=-1a, i
B
=-100ma*
I
C
=-2a, i
B
=-200ma*
I
C
=-5a, i
B
=-500ma*
根基-发射级
饱和 电压
V
是(sat)
-1080 -1240 mV I
C
=-5a, i
B
=-500ma*
根基-发射级
转变-在 电压
V
是(在)
-935 -1070 mV I
C
=-5a, v
CE
=-1v*
静态的 向前
电流 转移 比率
h
FE
100
100
75
10
200
200
90
25
300
I
C
=-10ma, v
CE
=-1v*
I
C
=-2a, v
CE
=-1v*
I
C
=-5a, v
CE
=-1v*
I
C
=-10a, v
CE
=-1v*
转变 频率 f
T
120 MHz I
C
=-100ma, v
CE
=-10v
f=50MHz
输出 电容 C
obo
74 pF V
CB
=-10v, f=1mhz
切换 时间 t
t
82
350
ns
ns
I
C
=-2a, i
B1
=-200ma
I
B2
=200ma, v
CC
=-10v
* 量过的 下面 搏动 情况. 脉冲波 宽度 =300
s. 职责 循环
2%
额外的刺激 参数 数据 是 有 在之上 要求 为 这个 设备
资料评论区:
点击回复标题作者最后回复时间

标 题:
内 容:
用户名:
手机号:    (*未登录用户需填写手机号,手机号不公开,可用于网站积分.)
      
关于我们 | 联系我们
电    话13410210660             QQ : 84325569   点击这里与集成电路资料查询网联系
联系方式: E-mail:CaiZH01@163.com