2 g-link 技术
dec. 2003 (rev. 2.4)
FUNCTION一个LBLOCKDI一个GR一个M
a[10:0]
dq[15:0]
图示 1.16m (2-bank x 524288-文字 x 16-位) 同步的 dram
控制 电路系统
地址 缓存区
BA
CLK
CKE
CS
RAS
时钟 缓存区
控制
信号 缓存区
CAS
我们
DQML
DQMU
模式
寄存器
记忆 排列
bank #0
记忆 排列
bank #1
i/o 缓存区
信号 描述
信号 类型 描述
CLK 输入 主控 时钟: 所有 其它 输入 是 关联 至 这 rising 边缘 的 clk.
CKE 输入 时钟 使能: cke 控制 内部的 时钟. 当 cke 是 低, 内部的 时钟 为 这 下列的 循环 是 ceased.
cke 是 也 使用 至 选择 自动 / 自 refresh. 之后 自 refresh 模式 是 started, cke 变为 异步的
输入. 自 refresh 是 maintained 作 长 作 cke 是 低.
CS 输入 碎片 选择: 当CS是 高, 任何 command 意思 非 运作.
RAS,CAS,我们 输入 结合体 的RAS,CAS,我们定义 基本 commands.
a[10:0] 输入 a[10:0] 具体说明 这 行 / column 地址 在 conjunction 和 ba. 这 行 地址 是 指定 用 a[10:0].
这 column 地址 是 指定 用 a[7:0]. a[10] 是 也 使用 至 表明 precharge 选项. 当 a[10] 是
高 在 一个 读 / 写 command, 一个 自动 precharge 是 执行. 当 a[10] 是 高 在 一个 precharge command,
两个都 banks 是 precharged.
BA 输入 bank 地址: ba 是 不 simply a[11]. ba specifies 这 bank 至 这个 一个 command 是 应用. ba 必须 是 设置
和 act, 前, 读, 写 commands.
dq[15:0] 输入 / 输出 数据 在 和 数据 输出 是 关联 至 这 rising 边缘 的 clk.
DQML 输入 更小的 din[7:0] 掩饰 / 更小的 output[7:0] 使不能运转: 当 dqml 是 高 在 burst 写, 更小的 din[7:0] 为 这
电流 循环 是 masked. 当 dqml 是 高 在 burst 读, 更小的 dout[7:0] 是 无能 在 这 next 但是 一个
循环.
DQMU 输入 upper din[15:8] 掩饰 / upper output[15:8] 使不能运转: 当 dqmu 是 高 在 burst 写, upper din(8-15) 为
这 电流 循环 是 masked. 当 dqmu 是 高 在 burst 读, upper dout[15:8] 是 无能 在 这 next 但是
一个 循环.
V
DD
, v
SS
电源 供应 电源 供应 为 这 记忆 排列 和 附带的 电路系统.
V
DDQ
, v
SSQ
电源 供应 V
DDQ
和 v
SSQ
是 有提供的 至 这 输出 缓存区 仅有的.
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